電路學與電子學 申論題歷屆試題與參考架構
高考三級,民國 115~115 年共 1 份試卷、4 題,其中 4 題附參考答題架構。考這一科的類科:電信工程、電力工程、電子工程。本頁列出歷年全部題目,參考架構只列開頭的「破題」,完整的答題架構、關鍵字與作答提醒請到站內查看。
115 年(考試時間 120 分鐘) 原卷 PDF
- 1
請繪出下圖電路之:
(一)戴維寧等效電路(Thévenin equivalent network)含電壓及電阻。(15 分)
(二)諾頓等效電路(Norton equivalent network)含電流及電阻。 (10 分)
(25 分)
參考架構・破題
本題是含相依電流源(電流控制電流源 2I)的等效電路題。控制量 I 在左半部(獨立源側),右半部是要求等效的 A、B 端。關鍵在於:求開路電壓時相依源要照算,求等效電阻時把獨立源關掉後控制量 I 變成 0,相依源跟著失效(開路)。
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- 2
下 圖 由 電 阻 及 電 容 所 構 成 之 電 路 , 其 R1 90 k , R 2 10 k ,C1 100 pF 。
(一)請畫出其頻率響應之波德圖(Bode Plot)。 (10 分)
(二)求算零點 Z (rad/s) 。(10 分)
(三)求算極點 3-dB 的頻率 P (rad/s) 。(5 分)Vo /Vi (dB) (rad/s) (log scale)
(25 分)
參考架構・破題
電路為 R1 並聯 C1(串聯臂)、R2 接地(分壓臂),是典型的超前補償網路(lead network,也用於示波器探棒補償)。先寫出轉移函數 H(s),就能一次得到零點、極點與低高頻漸近值,再畫波德圖。
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- 3
如下圖 NMOS 放大器,其 MOS 參數為 K n n Cox ( W/L),g m 2K n I D ,假設 VA V 且不考慮基底效應(Body Effect)。(註:請注意正負號)
(一)求此電路在 時,小訊號增益 vo /vsig (V/V) 為何?(15 分)
(二)推導其轉移函數 H(s) vo (s) /vsig (s) , s j 。(10 分)
(25 分)
參考架構・破題
此為共源極(CS)NMOS 放大器:源極接定電流源 I 偏壓並由 ∞ 電容旁路到地,汲極電阻 RD 輸出,輸入端經耦合電容 CC 與 RG 形成高通網路。ID = I,所以 gm = √(2KnI);ω→∞ 時 CC 短路,得到中頻(通帶)增益;轉移函數則多一個由 CC 決定的低頻極點與 s = 0 的零點。
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- 4
如下圖,假設 BJT 操作在主動區(Active region) ,其 BJT 參數為 β ,VT 25 mV , VA V ,導通時 VBE 0.7 V ,飽和區 VCE 0.2 V ,主動區 VCE 0.2 V 。
(一)求此電路在極高頻時,小訊號增益 vo /vsig (V/V) 為何?(15 分)
(二)在不會進入飽和區的前提下, R 1 的最大值為何?(10 分)
(25 分)
參考架構・破題
此為共射極(CE)BJT 放大器:基極由 10 kΩ 與 R1 分壓偏壓,射極接 1 mA 定電流源並由 ∞ 電容旁路,集極經 5 kΩ 接 10 V。β = ∞ 讓基極電流為 0(分壓不受負載、rπ = ∞),計算變得單純;第二小題則是用「主動區條件 VCE > 0.2 V」反推偏壓上限。
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題目來源:考選部考畢試題查詢平臺(政府資訊公開資料);參考架構為本站自撰,僅供準備方向參考,非官方標準答案。最後更新:。