地方特考　104 年五等電子學大意　考古題與詳解

本卷共 40 題，其中 35 題附有本站自撰的逐題詳解。題目與標準答案取自考選部「考畢試題查詢平臺」的公開資料；詳解由本站撰寫並標註出處。本頁列出全部題目與標準答案，並免費試讀前 3 題的詳解；其餘詳解在線上作答時逐題顯示。

▶ 線上作答這一卷（40 題，建議 60 分鐘）

1構成半導體載子運動的基本機制為：
1. (A) 擴散與漂移
2. (B) 飽和與雪崩
3. (C) 空乏與擴散
4. (D) 溫度與磁場
正解：(A)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (A) 半導體中載子的運動由濃度梯度造成的擴散電流，與電場作用造成的漂移電流兩種基本機制構成。
❌ (B) 飽和與雪崩是元件在特定偏壓下的現象，非載子運動的基本機制。
❌ (C) 空乏區是接面形成的結果，不是載子運動機制。
❌ (D) 溫度與磁場屬外在條件，影響載子行為但非運動機制本身。
📚 出處：半導體物理（擴散與漂移電流）
2二極體零組件不具有下列何種功能？
1. (A) 訊號放大
2. (B) 整流
3. (C) 箝位（Clamp）
4. (D) 截波
正解：(A)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (A) 二極體為被動的兩端元件，只能單向導通，無法提供訊號放大；放大須靠電晶體等主動元件。
❌ (B) 二極體可組成半波、全波整流電路。
❌ (C) 二極體配合電容可構成箝位電路。
❌ (D) 二極體可構成截波（限幅）電路。
📚 出處：二極體的應用電路
3下列有關於理想運算放大器特性的描述，何者錯誤？
1. (A) 頻寬無限大
2. (B) 電壓增益無限大
3. (C) 輸出阻抗無限大
4. (D) 共模拒斥比（CMRR）無限大
正解：(C)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (C) 理想運算放大器的輸出阻抗應為「零」，才能不受負載影響地驅動後級，本項稱無限大是錯誤的。
❌ (A) 理想運算放大器的頻寬無限大。
❌ (B) 開迴路電壓增益無限大。
❌ (D) 共模拒斥比無限大。
📚 出處：理想運算放大器的特性
4對一場效電晶體（FET）而言，三極管區（Triode Region）與飽和區（Saturation Region）的分界點為：
1. (A) VDS > VGS − Vt
2. (B) VDS = VGS − Vt
3. (C) VDS < VGS − Vt
4. (D) VDS = 0
正解：(B)
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5在下列各選項中，那一個選項對 MOS 電晶體的爾利電壓（Early Voltage）VA 的影響最大：
1. (A) 通道的長度 L
2. (B) 通道的寬度 W
3. (C) 氧化層的厚度 tox
4. (D) 氧化層的介電常數 εox
正解：(A)
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6BJT 電晶體操作在飽和區模式下，下列敘述之接面情況何者正確？
1. (A) EB 接面逆向偏壓，CB 接面逆向偏壓
2. (B) EB 接面順向偏壓，CB 接面逆向偏壓
3. (C) EB 接面逆向偏壓，CB 接面順向偏壓
4. (D) EB 接面順向偏壓，CB 接面順向偏壓
正解：(D)
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7某一白金溫測電阻，在 0° C 時之電阻值為 100 Ω，其溫度係數為 0.004 Ω / °C ，若溫度升至 100°C ，則其電阻約為多少？
1. (A) 140 Ω
2. (B) 104 Ω
3. (C) 100 Ω
4. (D) 60 Ω
正解：(A)
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8如下圖電路，設二極體為理想二極體，若要使二極體導通，電壓源 E 至少應為多大？
1. (A) 0
2. (B) (1/2) IR R
3. (C) IR
4. (D) 2 IR I +R R E−
正解：(D)
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9在共射（CE）、共基（CB）、共集（CC）、疊接（Cascode）放大器組態中，具有最大輸入電阻的是：
1. (A) 共射放大器
2. (B) 共基放大器
3. (C) 共集放大器
4. (D) 疊接放大器
正解：(C)
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10若要使一操作於主動區的 BJT 的轉導 gm 值增為 2 倍，可藉由下列何種方式來達成？
1. (A) 將 IC 增為 4 倍
2. (B) 將 IC 增為 2 倍
3. (C) 將 IC 增為 2 倍
4. (D) 將 IC 減半
正解：(B)
11在共射極組態放大器中加入射極電阻的好處是：
1. (A) 穩定直流偏壓
2. (B) 增加轉導（Transconductance）值
3. (C) 增加電壓增益
4. (D) 增加電流增益
正解：(A)
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12關於理想轉阻放大器（Transimpedance Amplifier）特性之敘述，下列何者正確？
1. (A) 放大器本身之輸入阻抗無限大
2. (B) 放大器本身之輸出阻抗為無限大
3. (C) 放大器本身之輸出阻抗與電流放大器相同
4. (D) 其增益單位為歐姆（Ω）
正解：(D)
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13某一電晶體的單一增益頻寬（Unity-gain Bandwidth）為 500 MHz，當此電晶體被使用在電壓增益設計為 50 的放大器電路中，放大器的頻寬約為多少？
1. (A) 2 MHz
2. (B) 5 MHz
3. (C) 10 MHz
4. (D) 20 MHz
正解：(C)
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14有關 BJT 放大器米勒效應（Miller Effect）的敘述，下列何者正確？
1. (A) 造成集極電流 iC 會隨電壓 vCE 之增加而增加
2. (B) CE 放大器輸入側之等效電容有放大的現象
3. (C) 高頻響應變佳
4. (D) 常發生於共集極（CC）放大器
正解：(B)
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15電晶體的高頻模型是於電晶體低頻小訊號模型中加入：
1. (A) 電晶體內部的電容效應
2. (B) 電晶體內部的電阻效應
3. (C) 電晶體內部的相依電流源效應
4. (D) 電晶體內部的相依電壓源效應
正解：(A)
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16關於二極體接面之崩潰效應，下列敘述何者正確？
1. (A) 相較於雪崩式崩潰（Avalanche Breakdown），曾納崩潰（Zener Breakdown）發生之電壓較高
2. (B) 雪崩式崩潰與曾納崩潰為順向偏壓過大所造成
3. (C) 相較於雪崩式崩潰，曾納崩潰發生在 PN 接面濃度較高之二極體
4. (D) 穩壓二極體多採用雪崩式崩潰效應
正解：(C)
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17有一波德圖（Bode Plot）線段斜率為 20 dB/decade，即每 10 倍頻率產生 20 dB 的變化，今欲以 dB/octave表示，亦即每 2 倍頻率的變化量，請計算換算的結果最接近那個值？
1. (A) 2 dB/octave
2. (B) 4 dB/octave
3. (C) 6 dB/octave
4. (D) 8 dB/octave
正解：(C)
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18若運算放大器反相積分器之輸入訊號為方波，則輸出波形為：
1. (A) 三角波
2. (B) 方波
3. (C) 餘弦波
4. (D) 正弦波
正解：(A)
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19在共射（CE）、共基（CB）、共集（CC）、疊接（Cascode）放大器組態中，具有最小頻寬的是：
1. (A) 共射放大器
2. (B) 共基放大器
3. (C) 共集放大器
4. (D) 疊接放大器
正解：(A)
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20通常 P 通道增強型 MOSFET 用為放大器時，閘源極間電壓 VGS 必須加：
1. (A) 正電壓
2. (B) 負電壓
3. (C) 零
4. (D) 浮接（Floating）
正解：(B)
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21在室溫下工作在主動模式之 BJT 電晶體，其集極電流 IC=2.5 mA，則其轉導（Transconductance）參數 gm 約為：
1. (A) 2.5 mA/V
2. (B) 10 mA/V
3. (C) 25 mA/V
4. (D) 100 mA/V
正解：(D)
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22某光檢測用光二極體的量子效率為 1，其接面面積 2×10-2 cm2，而入射光子通量為 5×1017 cm-2-s-1。已知電子電量為 1.6×10-19 庫倫，則此光二極體所產生之光電流為多少？
1. (A) 0.8 mA
2. (B) 1.2 mA
3. (C) 1.6 mA
4. (D) 2.0 mA
正解：(C)
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23在邏輯電路製作上，下列何者不是 CMOS 技術的優點？
1. (A) 低消耗功率
2. (B) 可高積體密度
3. (C) 可藉由電荷累積來記憶資訊
4. (D) 高電流驅動能力
正解：(D)
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24下圖為理想運算放大器電路，假設運算放大器的電源電壓為 ± 10 V，則電路中 vO 輸出為多少？
1. (A) -2 V 20kΩ
2. (B) -1 V 20kΩ
3. (C) 0 V 10kΩ− 10kΩ
4. (D) 2 V vO11V + −-2V 10kΩ vO+
正解：(A)
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25如下圖所示之理想運算放大器電路，其中 AO=∞，求此電路之電壓增益為何？
1. (A) 12R
2. (B) 2
3. (C) 3
4. (D) 4 R− Vout+ AOVin +− R2R
正解：(B)
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26考慮輸入一方波訊號至下圖的箝位電路中，二極體為理想，下列關於此電路操作的敘述何者錯誤？+ +CvI R vO+E−− −
1. (A) 當輸入電壓小於 E 時，電容可經由二極體進行充電
2. (B) 此電路最小輸出電壓為 E
3. (C) 此電路最大輸出電壓與 E 值無關
4. (D) 在完成電容充電後，輸入電壓大於 E 時，輸出電壓為輸入電壓與電容電壓的和
正解：(C)
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27如圖所示之電路，二極體導通之壓降皆為 0.7 V，則 VO 之值為何？+ VO −
1. (A) 2Vm-0.7 C1 C3
2. (B) 2Vm-1.4
3. (C) 3Vm-1.4 Vmsinωt D1 D2 D3
4. (D) 3Vm-2.1C2
正解：(D)
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28如圖所示之電路，若電晶體操作在飽和區（Saturation Region），下列何種調整方式使電晶體無法進入主動區（Forward Active Region）？ VCC
1. (A) 提高 R1R1
2. (B) 提高 R2
3. (C) 提高 Vcc VO
4. (D) 減低 VbQ+Vb−CR2 Vi
正解：(A)
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29圖為共射極放大器，若 A v = Vo Vi ，則下列敘述何者正確？
1. (A) RC 電阻值變大， Av 值變小 VCC
2. (B) 將 CE 拔掉， Av 值不變RC
3. (C) RE1 電阻值變小， Av 值變大
4. (D) 將 CE 拔掉， Av 值變大 RB1RS +VORL −+Vi RB2 RE1−RE2 CE1 W
正解：(C)
30如圖所示之電路，其電晶體參數： μ nCox = 0.5 mA/V2，VTN = 0.8 V；假如 vI = 5 V， φ＝4 V，求2 L準穩態（quasi steady-state）輸出電壓 vO 為何？
1. (A) 5 V
2. (B) 4 V vOvI
3. (C) 4.2 V
4. (D) 3.2 VCL=1pFφ
正解：(D)
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31如圖所示之電路，若 BJT 操作在主動區（Forward Active Region），轉導值（gm）為 10 mA/V，β＝40，若忽略元件之輸出阻抗（rO），試求 Ri=？ VCC
1. (A) 3 kΩ
2. (B) 6 kΩ Ri
3. (C) 41 kΩ 2kΩ
4. (D) 46 kΩ1kΩViVO+Vb 1kΩ−
正解：(D)
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32如圖所示之電路，假設電晶體操作在飽和區，且忽略電晶體之輸出電阻及所有其他電容，則當頻率為 77 MHz 時，其增益大小與低頻增益值之比約為何？
1. (A) 0.5 VDD
2. (B) 0.7
3. (C) 0.9
4. (D) 1.1 1kΩVOVin1pF
正解：(C)
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33如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應，IC= 1 mA，VT= 26 mV，β = 100，Cπ = 100 f F，Cμ = 20 f F，且 CCS ＝30 f F，採用米勒（Miller）趨近法，求於 BJT 輸出端之極點頻率為何？（f = 10-15） VCC
1. (A) 1.58 GHz
2. (B) 2.58 GHz 2kΩ
3. (C) 3.58 GHz VO
4. (D) 4.58 GHzVin 200Ω
正解：(A)
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34如圖之 MOS 差動放大器（Differential Amplifier），Q1＝Q2，其臨界電壓（Threshold Voltage）Vt = 0.5 V，爾利電壓（Early Voltage）VA→∞。當 VG1＝VG2＝0 時，若電晶體工作於飽和模式（Saturation Mode），其汲極電流 ID 與閘源電壓 VGS 的關係為 ID＝2(VGS-Vt)2(mA)。則當 VG1＝VG2＝0 時，源極電壓 VS 為何？
1. (A) -1 V
2. (B) -0.5 V +2V
3. (C) 0 V
4. (D) +0.5 V RD RDVG1 Q1 Q2 VG2VSI=1mA-2V
正解：(A)
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35圖示理想二極體電路中，若輸入 vI 為弦波，峰值電壓 5 V，下列何者為 vO 的波形？R +vIvO3V−
1. (A) vO
2. (B) vO5V3Vt 3Vt-5V
3. (C) vO
4. (D) vO8V0V t-2V 0V t
正解：(D)
36如圖所示之理想運算放大器振盪電路，電源為 VCC ＝± 15 V ，則 VO 之週期為何？0.2μF
1. (A) 3 ms
2. (B) 4 ms − 15kΩ
3. (C) 5 ms −+40kΩ
4. (D) 6 ms + VO10kΩ
正解：(A)
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37圖示雙極性接面電晶體（BJT）構成的電流源電路，當電路正常工作時，電壓 VO 可容許的最小值約為若干 V？5V
1. (A) -5 VIO
2. (B) -4.7 VR
3. (C) -2.3 V VO
4. (D) 0.2 VQ1 Q2-5V
正解：(B)
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38如圖之差動放大器（Differential amplifier），電晶體 Q1＝Q2，工作於飽和模式（Saturation Model），其轉導（transconductance）參數 gm=2 mA/V，爾利電壓（Early Voltage）VA→∞。則此差動放大器的差動電壓增益 Ad=Vod/Vid 有多大？+VDD
1. (A) 2.5RD ＿＿＿ RD
2. (B) 3 ＿＿＿ RLVid ＿＿＿ Vid
3. (C) 3.5 ＿＿＿ VCM + ＿＿＿ − Vod + ＿＿＿ VCM −2 ＿＿＿ Q2Q1
4. (D) 4RS ＿＿＿ RSI-VSS
正解：(A)
39如圖所示之電路，其邏輯函數為下列何者？VDD
1. (A) A+ B
2. (B) A+BA
3. (C) A⋅B VO
4. (D) A⋅ BB
正解：(D)
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40若 P-N 接面二極體之導通電壓為 0.7 V，且導通電阻值為 0 Ω，則電阻 1 kΩ 上之電流為何？
1. (A) 0.3 mA 3V
2. (B) 1.3 mA
3. (C) 2.3 mA 2V
4. (D) 3.9 mA 1kΩ1V
正解：(C)