地方特考　111 年 五等 電子學大意　考古題與詳解

本卷共 40 題，其中 37 題附有本站自撰的逐題詳解。題目與標準答案取自考選部「考畢試題查詢平臺」的公開資料；詳解由本站撰寫並標註出處。本頁列出全部題目與標準答案，並免費試讀前 3 題的詳解；其餘詳解在線上作答時逐題顯示。

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1. 1如圖之 JFET 電路，若 IDSS = 3 mA，VP = -3 V，則 VDS 約為何？

   

   1. (A) 1.5 V
   2. (B) 3.5 V
   3. (C) 5.5 V
   4. (D) 7.5 V

   正解：(D)

   逐題詳解（免費試讀）

   ✅ (D) 閘極分壓 VG = 60 × 300k/(1.5M+300k) = 10 V。由偏壓式 VGS = 10 − 5k·ID 與轉移特性 ID = 3m(1 − VGS/(−3))² 聯立，得 ID ≈ 2.1 mA、VGS ≈ −0.49 V。故 VDS = 60 − ID(20k+5k) = 60 − 2.1m × 25k ≈ 7.5 V。

   ❌ (A) VDS = 1.5 V 對應 ID ≈ 2.34 mA，代回轉移特性只得約 0.6 mA，前後不自洽。

   ❌ (B) VDS = 3.5 V 對應 ID ≈ 2.26 mA，同樣不能同時滿足偏壓式與轉移特性式。

   ❌ (C) VDS = 5.5 V 對應 ID ≈ 2.18 mA，仍與聯立解出的 2.1 mA 不符。

   📚 出處：電子學；JFET 分壓自給偏壓電路的直流工作點分析。

2. 2在 20℃時，二極體的切入電壓為 0.6 V，逆向飽和電流為 Is，當溫度上升至 40℃時，下列何者較為可能？

   1. (A) 切入電壓值下降，逆向飽和電流約為 4Is
   2. (B) 切入電壓值下降，逆向飽和電流約為 Is/4
   3. (C) 切入電壓值上升，逆向飽和電流約為 4Is
   4. (D) 切入電壓值上升，逆向飽和電流約為 Is/4

   正解：(A)

   逐題詳解（免費試讀）

   ✅ (A) 二極體的切入電壓約以每升 1℃ 下降 2 mV 的速率減小；逆向飽和電流則約每升 10℃ 加倍，升 20℃ 即約為 4Is。

   ❌ (B) 逆向飽和電流隨溫度上升而增加，非減少。

   ❌ (C) 切入電壓隨溫度上升而下降。

   ❌ (D) 兩項變化的方向均錯誤。

   📚 出處：電子學；二極體的溫度特性。

3. 3變容二極體大多應用於下列何者？

   1. (A) 變頻共振電路
   2. (B) 數位邏輯電路
   3. (C) 開關
   4. (D) 光感測

   正解：(A)

   逐題詳解（免費試讀）

   ✅ (A) 變容二極體利用逆偏時接面電容隨電壓改變的特性，作為電調諧的可變電容，常用於變頻共振（調諧）電路。

   ❌ (B) 數位邏輯電路使用的是開關型元件。

   ❌ (C) 開關用途多採一般整流或蕭特基二極體。

   ❌ (D) 光感測使用光二極體。

   📚 出處：電子學；變容二極體（varactor）。

4. 4某雙極性接面電晶體（BJT）在主動區（active region）的 β= 120，當此電晶體工作在飽和區（saturationregion）時，下列何者不可能是其 IC/IB 值？

   1. (A) 125
   2. (B) 115
   3. (C) 110
   4. (D) 10

   正解：(A)

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5. 5NPN 雙極性接面電晶體，在主動區操作，α 值 0.96 變為 0.98，射極電流和基極電流比值的變化為何？

   1. (A) 20 變為 40
   2. (B) 25 變為 50
   3. (C) 30 變為 60
   4. (D) 35 變為 70

   正解：(B)

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6. 6工作在飽和區的空乏型 N 通道 MOSFET，IDSS = 4 mA，VTH = -3 V，若 ID =16 mA，VGS 為何？

   1. (A) 3V
   2. (B) 6V
   3. (C) 9V
   4. (D) 12 V

   正解：(A)

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7. 7有關運算放大器的應用，下列何者使用正回授？

   1. (A) 反相放大器
   2. (B) 非反相放大器
   3. (C) 射極隨耦器
   4. (D) 史密特觸發電路

   正解：(D)

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8. 8一電路如圖所示，R1 與 C1 並聯，R2 與 C2 並聯。Vi 為直流時，V0/Vi 為何？

   1. (A) -R2/R1
   2. (B) 1+ R2/R1
   3. (C) -C1/C2
   4. (D) 1+ C1/C2

   正解：(A)

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9. 9承上題，當 Vi 電壓為極高頻時，試求 V0/Vi 值趨近於下列何者？

   1. (A) -R2/R1
   2. (B) 1+ R2/R1
   3. (C) -C1/C2
   4. (D) 1+ C1/C2

   正解：(C)

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10. 10如圖之電路，已知每個二極體的切入電壓為 0.7 V，當 ID1=ID2 時，則電阻 R 為何？

    

    1. (A) 0.6 kΩ
    2. (B) 1.2 kΩ
    3. (C) 2.4 kΩ
    4. (D) 4.8 kΩ

    正解：(B)

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11. 11假設二極體導通電壓為 0.7 V，圖中電路輸出波形正、負峰值電壓分別為何？

    

    1. (A) 4.0 V、-5.8 V
    2. (B) 5.1 V、-3.3 V
    3. (C) 5.8 V、-4.0 V
    4. (D) 3.3 V、-5.1 V

    正解：(C)

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12. 12圖為一典型的負載電壓調節器，流過稽納二極體的電流為何？

    1. (A) 50 mA
    2. (B) 30 mA
    3. (C) 80 mA
    4. (D) 0 mA

    正解：(B)

13. 13漣波因數越小，濾波器的濾波效果將為何？

    1. (A) 不變
    2. (B) 越佳
    3. (C) 越差
    4. (D) 不一定

    正解：(B)

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14. 14構成整流濾波四倍電壓倍增器，最少需要幾個電容及二極體？

    1. (A) 3 個電容、4 個二極體
    2. (B) 4 個電容、3 個二極體
    3. (C) 3 個電容、3 個二極體
    4. (D) 4 個電容、4 個二極體

    正解：(D)

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15. 15若輸入電壓訊號為 Vin = 12 sin(ωt)V，二極體導通電壓為 0.7 V。下列輸出 Vo 波形圖，何者正確？+VinVo－A. B.C. D.

    

    正解：(B)

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16. 16圖為箝位器及其輸出波形，二極體導通時電壓為 0.7 V。請問要得到這樣的輸出波形，電路中的 Vdc要給多少？

    1. (A) 0.7 V +
    2. (B) 4.3 V
    3. (C) 6.3 V－
    4. (D) 9.3 V

    正解：(D)

17. 17理想的箝位電路不會改變下列何種數值？

    1. (A) 輸入電壓的上峰值
    2. (B) 輸入電壓的下峰值
    3. (C) 輸入直流位準
    4. (D) 輸入電壓的峰對峰值

    正解：(D)

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18. 18下圖之電路中，若 Vi = 5.7 V，欲使電晶體操作於飽和區，且 VBE = 0.7 V、VCE(sat) = 0.2 V，下列敘述何者正確？

    

    1. (A) I C (sat) = 14 mA
    2. (B) β ≥ 59.2
    3. (C) IB = 0.35 mA
    4. (D) α = 0.8Vi

    正解：(B)

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19. 19有關圖中的偏壓電路之特性，下列敘述何者錯誤？

    1. (A) 電阻 RB 具有負回授作用
    2. (B) 電晶體不會進入飽和區
    3. (C) VBC 永遠是逆向偏壓
    4. (D) 溫度上升時 VCE 上升

    正解：(D)

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20. 20有關空乏型 MOSFET 之操作特性，下列敘述何者錯誤？

    1. (A) 空乏型 MOSFET 所加的 VGS 可為正值或負值
    2. (B) 對於 n 通道的空乏型 FET，若增加正值 VGS 會使 ID 變小
    3. (C) 空乏型 MOSFET 所加的 VGS = 0，ID 可以不為零
    4. (D) 欲使 n 通道的空乏型 MOSFET 的 ID = 0，則所加的 VGS 需為負值

    正解：(B)

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21. 21雙極性接面電晶體（BJT）之 β = 200，熱電壓 VT = 25 mV。若此電晶體工作於集極電流 IC = 0.25 mA，則其小訊號模型參數 re 約為何？

    1. (A) 100 Ω
    2. (B) 50 Ω
    3. (C) 40 Ω
    4. (D) 20 Ω

    正解：(A)

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22. 22有關雙極性接面電晶體（BJT）共基極放大器電路之敘述，下列何者錯誤？

    1. (A) 輸入阻抗大於輸出阻抗
    2. (B) 輸入與輸出電壓同相
    3. (C) 電流增益 < 1
    4. (D) 輸出電流為集極電流 IC

    正解：(A)

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23. 23共射極（CE）放大器組態的頻率響應不佳，其原因為下列何者？

    1. (A) 雪崩效應（Avalanche effect）
    2. (B) 爾利效應（Early effect）
    3. (C) 米勒效應（Miller effect）
    4. (D) 溫度效應（Temperature effect）

    正解：(C)

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24. 24在單一極點放大器的高頻響應中，當工作頻率大於 3dB 頻率時，工作頻率每增加 10 倍，輸出電壓信號會衰減為原先的幾倍？

    1. (A) 1/2
    2. (B) 1/6
    3. (C) 1/10
    4. (D) 1/16

    正解：(C)

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25. 25直接耦合放大器可以視為下列何者？

    1. (A) 低通放大器
    2. (B) 帶通放大器
    3. (C) 高通放大器
    4. (D) 帶斥放大器

    正解：(A)

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26. 26有一功率放大器輸出阻抗為 200 Ω，今欲連接一 8 Ω 喇叭；為獲得最大功率轉移，連接放大器和喇叭之間的輸出變壓器的圈數比 N 應為何？

    1. (A) 25
    2. (B) 20
    3. (C) 10
    4. (D) 5

    正解：(D)

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27. 27圖示電路中，L1 = 20 μH、L2 = 80 μH、C3 = 16 pF，則使電路維持振盪之放大電路臨界電壓增益值 Av 為何？

    

    1. (A) 0.25
    2. (B) -0.25Vo
    3. (C) -4Vi
    4. (D) -8Vf

    正解：(C)

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28. 28如圖 IC 單穩態多諧振盪器，當觸發信號由 Vi 注入時，開始產生脈波於 IC 的 Vo 上呈現，決定脈波寬度的主要元件為何？

    

    1. (A) R1//R2 和 C2
    2. (B) R3 和 C1
    3. (C) R1//R2 和 C1
    4. (D) R3 和 C2

    正解：(C)

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29. 29當 555 計時器搭配外部的電容器和電阻器構成單穩態多諧振盪電路時，下列敘述何者正確？

    1. (A) 外部電阻器的電阻值越大，其輸出的脈波寬度就會越小
    2. (B) 外部電容器的電容值越小，其輸出的脈波寬度就會越大
    3. (C) 無需外部觸發訊號
    4. (D) 在實務操作上，改變 555 計時器 IC 上一個稱為控制電壓（Control voltage）接腳的電壓值，也能調整其輸出脈波的寬度

    正解：(D)

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30. 30關於電壓比較器之敘述，下列何者錯誤？

    1. (A) 未使用回授網路的運算放大器可以作為電壓比較器使用
    2. (B) 使用正、負雙電源之運算放大器作為電壓比較器使用時，會因為反相輸入端和非反相輸入端的電壓大小比較結果使其輸出端呈現接近正、或負電源電壓之飽和結果
    3. (C) 作為電壓比較器使用之運算放大器為一個線性電路
    4. (D) 作為電壓比較器使用之運算放大器，其輸出端電壓的狀態從開始轉變到呈現飽和，於兩個輸入端之間只需要微小的電壓差距，例如只有 0.1 mV

    正解：(C)

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31. 31已知圖中電晶體 Q1 之 β1=150，rπ1=2.2 kΩ，Q2 之 β2 =220，rπ2 =1.4 kΩ。如需考慮耦合電容器 CC 對電壓增益的影響，且欲控制其 3dB 頻率在 100 Hz 以下，則 CC 的大小可以是下列何者？

    

    1. (A) 22 nF
    2. (B) 220 nF
    3. (C) 2.2 μF
    4. (D) 22 μF

    正解：(D)

32. 32圖示電路，V+ = +10 V、V- = -10 V、RE = 2 kΩ，若電晶體 VEB = 0.7 V，VEC(sat) = 0.2 V，且工作在飽和區（Saturation Region），則下列何者為可能的電阻 RC？

    

    1. (A) 2.5 kΩ
    2. (B) 1.9 kΩ
    3. (C) 1.3 kΩ
    4. (D) 0.9 kΩ

    正解：(A)

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33. 33下列放大器何者有「源極隨耦器」之稱？

    1. (A) CS 放大器
    2. (B) CD 放大器
    3. (C) CG 放大器
    4. (D) CB 放大器

    正解：(B)

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34. 34有關雙極性接面電晶體（BJT）各電極區域：射極（E）、基極（B）、集極（C）在摻雜濃度與厚度之敘述，下列何者正確？

    1. (A) 摻雜濃度：E>B>C；厚度最薄為 B
    2. (B) 摻雜濃度：B>E>C；厚度最薄為 C
    3. (C) 摻雜濃度：C>E>B；厚度最薄為 E
    4. (D) 摻雜濃度：B>E>C；厚度最薄為 B

    正解：(A)

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35. 35如圖所示理想運算放大器電路，輸出電壓 VO 為何？

    

    1. (A) -2.5 V
    2. (B) -4 V
    3. (C) -7 V
    4. (D) -15 V

    正解：(C)

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36. 36如圖所示電路，假設二極體導通電壓為 0.7 V，輸入電壓 Vin 有效值為 120/√2 V，求輸出電壓的峰值為何？

    

    1. (A) 15 V
    2. (B) 14.3 V
    3. (C) 10.6 V
    4. (D) 29.3 V

    正解：(B)

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37. 37下圖為何種濾波器電路？

    

    1. (A) 主動高通濾波器
    2. (B) 主動低通濾波器
    3. (C) 被動高通濾波器
    4. (D) 被動低通濾波器

    正解：(B)

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38. 38電路及輸入端的電壓波形如圖所示，若二極體的切入電壓為 0.7 V，則輸出電壓 Vout 波形在低於幾伏特會被截除？

    

    1. (A) -12.7 V
    2. (B) -30 V
    3. (C) 11.3 V
    4. (D) 12.7 V

    正解：(C)

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39. 39MOSFET 電路如下圖所示，若 Vtn = 0.5 V，μnCox（W/L）= 2 mA/V2，則關於此 MOSFET 電路之敘述，下列何者正確？

    

    1. (A) ID = 2.25 mA
    2. (B) MOSFET 操作在飽和區（saturation region）
    3. (C) 此 MOSFET 電路適合作為線性放大器
    4. (D) RD = 6.55 kΩ

    正解：(D)

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40. 40下圖為 555 計時器應用電路。其中 RA 為 1/4 W 的電阻器，外觀標示著色碼-「橙橙棕」，代表其電阻值為 330 Ω。另外電阻器 RB 上表示其大小的色碼為「棕灰紅」；而電容器 C 為一陶瓷電容，外觀上打印有 103 之字樣。下列敘述何者錯誤？

    1. (A) 此應用電路為一無穩態多諧振盪器
    2. (B) 輸出端（Output）的振盪頻率為 50 kHz
    3. (C) RB = 1.8 kΩ
    4. (D) C = 0.01μF

    正解：(B)

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題目與標準答案來源：考選部考畢試題查詢平臺（政府資訊公開資料）。最後更新：2026-10-04。