地方特考　106 年 五等 電子學大意　考古題與詳解

本卷共 40 題，其中 39 題附有本站自撰的逐題詳解。題目與標準答案取自考選部「考畢試題查詢平臺」的公開資料；詳解由本站撰寫並標註出處。本頁列出全部題目與標準答案，並免費試讀前 3 題的詳解；其餘詳解在線上作答時逐題顯示。

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1. 1一幾何比 W/L、爾利電壓（Early voltage）皆固定的場效電晶體（FET），當過驅電壓 VOV（OverdriveVoltage）變為原來的 2 倍，則本質增益（Intrinsic Gain）將變為原來的：

   1. (A) 0.25 倍
   2. (B) 0.5 倍
   3. (C) 2 倍
   4. (D) 4 倍

   正解：(B)

   逐題詳解（免費試讀）

   ✅ (B) 本質增益＝gm·ro＝(2ID/VOV)×(VA/ID)＝2VA/VOV，與過驅電壓成反比，VOV 加倍則增益減半。

   ❌ (A) 0.25 倍係誤按平方關係計算。

   ❌ (C) 增益與 VOV 成反比，不會同向增加。

   ❌ (D) 4 倍的方向與倍數均誤。

   📚 出處：MOSFET 的本質增益。

2. 2對於場效電晶體（FET），下列敘述何者錯誤？

   1. (A) 是屬於電壓控制的元件
   2. (B) 所有類型的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）都需外加閘極電壓才會有通道存在
   3. (C) 接面場效電晶體（JFET）不需外加閘極電壓就已經有通道存在
   4. (D) 閘極（Gate）與源極（Source）間的直流電阻相當高

   正解：(B)

   逐題詳解（免費試讀）

   ✅ (B) 此項錯誤：空乏型 MOSFET 在零閘極電壓時即已存在通道，不必外加閘極電壓。

   ❌ (A) 敘述正確，FET 為電壓控制元件。

   ❌ (C) 敘述正確，JFET 本身即有通道，靠逆偏壓夾止。

   ❌ (D) 敘述正確，閘源極間直流電阻極高。

   📚 出處：FET 的類型與特性。

3. 3下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V，VE = -2 V。試研判此電晶體在目前的偏壓條件下通道電流（Channel current）的主要流動方向？VD1 VD VD2D 層：0.5 μmC 層：0.01 μmD1 層 D2 層n+ B 層：0.1 μm n+p- A 層：400 μmE 層：0.8 μmVE

   

   1. (A) 由右向左水平流動
   2. (B) 由左向右水平流動
   3. (C) 由上往下垂直流動
   4. (D) 由下往上垂直流動

   正解：(B)

   逐題詳解（免費試讀）

   ✅ (B) C 層（0.01 μm）是閘極氧化層、D 層是閘極，閘極電壓 V_D=2 V。兩顆 n+ 中電位較低的 D2（−2 V）擔任源極，V_GS=2−(−2)=4 V>|Vth|=0.5 V，氧化層正下方的 p− 表面反轉成 n 通道。電子由源極 D2 沿表面流向高電位的汲極 D1，慣常電流與電子流方向相反，因此電流由左側 D1 經通道流向右側 D2，屬水平流動。

   ❌ (A) 由右向左是電子的流動方向，不是題目問的通道電流（慣常電流）方向。

   ❌ (C) 通道只存在於閘極氧化層正下方的表面薄層，電流沿表面水平流動；向下被 0.01 μm 氧化層阻擋。

   ❌ (D) 背面 E 層（V_E=−2 V）與 n+（+2 V）形成的 pn 接面為逆向偏壓，垂直方向不導通。

   📚 出處：MOSFET 通道形成與源／汲極判定（Sedra《Microelectronic Circuits》MOS 場效電晶體之元件結構與操作）

4. 4有關新一代半導體科技技術的發展，下列何者敘述較不符合目前的發展趨勢？

   1. (A) 電晶體元件（device）的尺寸越來越小
   2. (B) 積體電路（IC）使用的電源越來越低
   3. (C) 採用的初始晶圓（wafer）越來越薄
   4. (D) 單一晶片（chip）的電路密度越來越高

   正解：(C)

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5. 5將一個 n-通道增強型 MOSFET 操作在飽和區時，下列何者正確？

   1. (A) 閘極的電壓不得比源極電壓高一個臨界電壓（threshold voltage）
   2. (B) 閘極對源極的電壓應為負值
   3. (C) 閘極的電壓不得比汲極電壓高一個臨界電壓（threshold voltage）
   4. (D) 通道電流由源極流向汲極

   正解：(C)

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6. 6對於一個 PN 接面二極體在順偏（forward bias）的條件下，下列何者正確？

   1. (A) P 側的電位較 N 側的電位為低
   2. (B) 電流的方向為由 P 側流向 N 側
   3. (C) 接面空乏區（depletion region）內的電場會因加入順偏電壓而擴大
   4. (D) 因為有電流流通，故沒有電容效應

   正解：(B)

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7. 7關於 CMOS 反相器（inverter）功率消耗的敘述，下列何者錯誤？

   1. (A) CMOS 反相器的靜態功率消耗（static power dissipation）幾乎為零
   2. (B) CMOS 反相器要減少功率消耗應降低輸出端的負載電容效應
   3. (C) CMOS 反相器的動態功率消耗（dynamic power dissipation）會隨輸入電壓 Vi 頻率的增加而增大
   4. (D) CMOS 反相器的動態功率消耗隨電源 VDD 值成正比例的增加

   正解：(D)

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8. 8有一 n 通道的 MOS 電晶體，其 μnCox = 50 μA/V2，VT,on = 1.0 V，λn =(0.1/L)V-1，其中 L 的單位為 μm，若 W = 10 μm，L = 10 μm，VDS = 4 V，試求欲使 gm = 50 μA/V，則 VGS 應為多少？

   1. (A) 5 V
   2. (B) 4 V
   3. (C) 3 V
   4. (D) 2 V

   正解：(D)

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9. 9一個運算放大器，若 V+ = +10 mV 而 V- = -10 mV，那共模輸入電壓（Common-mode input voltage）為：

   1. (A) 0 mV
   2. (B) +10 mV
   3. (C) +20 mV
   4. (D) -20 mV

   正解：(A)

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10. 10如圖所示電路，U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓 VD0 = 0.7 V。已知電阻 R1 = 1 kΩ、R2 =2 kΩ、R3 = 1 kΩ、VCC = -5 V。當 vI = 3 V 時，下列敘述何者正確？R3 AVCC R2D1 BR1- vOvI+U1 D2

    

    1. (A) D1 導通、D2 不導通
    2. (B) D1、D2 都導通
    3. (C) D1、D2 都不導通
    4. (D) D1 不導通、D2 導通

    正解：(D)

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11. 11如圖所示電路，Ao = 10 ，求此電路之閉迴路電壓增益約為何？- VOAoVin +

    1. (A) 1
    2. (B) 100
    3. (C) 1000
    4. (D) 100000

    正解：(A)

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12. 12vi(t) = 50sin(377t) volt 的輸入信號分別經中間抽頭型變壓器及橋式全波整流電路整流後，流過負載之電壓信號頻率分別為 fo1 及 fo2，則(fo1+fo2)為多少 Hz？

    1. (A) 1131 Hz
    2. (B) 754 Hz
    3. (C) 240 Hz
    4. (D) 180 Hz

    正解：(C)

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13. 13理想變壓器中負載電阻為 R2 = 2 Ω 如圖，測得輸入等效電阻 R1 = 8 Ω，則次級電壓（V2）、初級電流/次級電流比（I1/I2）及線圈匝數比（N1：N2）等有關之敘述，何者正確？N1：N2 I2I1+ +V1 = 8 V R2 = 2 Ω V2R1 = 8 Ω- -

    1. (A) V2 = 2 V1, I1/I2 = 2/1
    2. (B) V2 = 16 V, N1：N2 = 1：2
    3. (C) I1/I2 = 2/1, V2 = 4 V
    4. (D) N1：N2 = 2：1, I1/I2 = 1/2

    正解：(D)

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14. 14橋式整流電路中，理想二極體之逆向峰值電壓（PIV）為電源峰值的多少倍？

    1. (A) 3
    2. (B) 2
    3. (C) 2
    4. (D) 1

    正解：(D)

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15. 15如下圖所示，若輸入電壓 Vi = 20 V 且稽納二極體的 VZ = 10 V，則輸出 Vo 為：R1+ 10 kΩ +R2Vi VZ 20 kΩ Vo- -

    1. (A) 20 V
    2. (B) 13.3 V
    3. (C) 10 V
    4. (D) 8 V

    正解：(C)

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16. 16下圖整流電路中，當變壓器一次側之輸入電壓 vi 為振幅 110 V 的正弦波且 C 值很大時，則輸出電壓Vo 約為： D+ +vi C Vo- -10：1

    1. (A) 5.5 V
    2. (B) 11 V
    3. (C) 22 V
    4. (D) 44 V

    正解：(B)

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17. 17下圖為全波整流器。輸入信號為弦波，vs(t) = 5sin10t 伏特，各二極體 D1～D4 之導通電壓皆為 0.7 V，導通電阻為 0 Ω。則輸出 vo(t)之最大值為何？+ D1D4- vo +vsRD2 D3-

    1. (A) 5 V
    2. (B) 4.3 V
    3. (C) 3.6 V
    4. (D) 2.5 V

    正解：(C)

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18. 18下圖為一整流器，若二極體之導通電壓為 0 V，導通電阻為 0 Ω，輸入信號為弦波 vi(t) = 5sin(10πt) V，若輸出 vo 漣波電壓＜0.1 V，R = 100 kΩ，則電容 C 之最小值為何？+vi C R vo-

    1. (A) 1 μF
    2. (B) 10 μF
    3. (C) 100 μF
    4. (D) 1000 μF

    正解：(C)

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19. 19下圖電路中二極體 D1 之導通電壓為 0.7 V，導通電阻為 0 Ω。電容 C 兩端之初始跨壓為 0 V，則其穩態跨壓 vC 為何？+ vC -viCD13Vvi+ t-1 V- -3 V

    

    1. (A) 6 V
    2. (B) 3.3 V
    3. (C) 2.7 V
    4. (D) 1.3 V

    正解：(B)

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20. 20下圖中二極體 D1 與 D2 之導通電壓為 0.7 V，導通電阻為 0 Ω，輸入信號為弦波 vi(t) = 5sin10t 伏特，R1，R2，R3 皆為 10 Ω，則電阻 R1 之最大電流值為何？R1+R2 R3vi D1 D2 vO1V - ++ - 2V-

    

    1. (A) 530 mA
    2. (B) 330 mA
    3. (C) 165 mA
    4. (D) 115 mA

    正解：(C)

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21. 21關於圖(a)與(b)電路之敘述，若二極體為理想，Vp1 與 Vp2 為 Vo1 與 Vo2 之峰值電壓，下列何者正確？VI(V)C1 C23 + +VI D1 Vo1 VI D2 Vo2t(sec)- --2(a) (b)

    1. (A) Vp1 = 5 V，Vp2 = -5 V
    2. (B) Vp1 = 5 V，Vp2 = 5 V
    3. (C) Vp1 = -5 V，Vp2 = 5 V
    4. (D) Vp1 = -5 V，Vp2 = -5 V

    正解：(C)

22. 22下列有關雙極性電晶體（BJT）偏壓電路之共射極（CE）組態放大器的特性敘述，何者正確？

    1. (A) 電流增益 α＞1，同相放大
    2. (B) 電流增益 α＞1，反相放大
    3. (C) 電流增益 β＞1，同相放大
    4. (D) 電流增益 β＞1，反相放大

    正解：(D)

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23. 23圖中電晶體 M1 與 M2 之寬長比為(W/L)1：(W/L)2 = 4：1，臨界電壓（VT）皆為 0.8 V，若 Vol = 1 V，則 Vo2 =？0.5 mA+M1 Vo1-+M2 Vo2-

    1. (A) 0.8 V
    2. (B) 0.9 V
    3. (C) 1 V
    4. (D) 1.2 V

    正解：(D)

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24. 24圖中為雙載子電晶體放大器之等效模型，輸入為 vs，輸出為 vo。關於本放大器的敘述下列何者正確？+vπ rπ ro- gmvπvs+vo RL-

    1. (A) 為共基級放大器
    2. (B) RL 越大則輸入阻抗越小
    3. (C) RL 越大則增益越大
    4. (D) |vo/vs|＞1

    正解：(C)

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25. 25具有臨界電壓 Vth = 1.5 V 且 μnCox(W/L) = 1 mA/V2 的增強型 MOSFET 放大器中，電晶體的輸出直流電壓為 VDSQ = 5 V，直流電源 VGG 約為多少？9V2 kΩVGGRG

    1. (A) 2.5 V
    2. (B) 3.5 V
    3. (C) 5 V
    4. (D) 5.5 V

    正解：(B)

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26. 26臨界電壓 Vth = 1.5 V 的增強型 MOSFET 所構成如圖之放大器中，流經 R2 = 50 kΩ 及 1.5 kΩ 的直流偏壓電流分別為 0.15 mA 及 4 mA，該放大器的小信號電壓增益為何？VDDR1 1.5 kΩCD vovi CGR2 1 kΩ CS

    

    1. (A) -100
    2. (B) -50
    3. (C) -20
    4. (D) -6

    正解：(D)

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27. 27下列何者並非使用差動對放大器的好處？

    1. (A) 可降低外界的雜訊干擾
    2. (B) 可減少偏壓電路所需之大電容及大電阻
    3. (C) 適合於積體電路的應用
    4. (D) 可減少電路所需的電晶體數目

    正解：(D)

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28. 28如圖為 MOS 電晶體操作於飽和模式（Saturation mode）之 π 型小訊號等效電路，其中參數轉導 gm 與汲極電流 ID 的關係約為：G D+vgs rogmvgs-S

    1. (A) gm 正比於 1/ID
    2. (B) gm 正比於 1/ I D
    3. (C) gm 正比於 I D
    4. (D) gm 正比於 ID

    正解：(C)

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29. 29有一 n 通道 MOSFET 工作於飽和模式（saturation mode），並構成共源極（CS）放大器，該 MOSFET之臨界電壓 Vt = 0.5 V。當 VGS = 2 V 時，求使此電晶體仍工作於飽和區之 VDS 最小值為何？

    1. (A) 0.5 V
    2. (B) 1 V
    3. (C) 1.5 V
    4. (D) 2 V

    正解：(C)

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30. 30如圖示電路，VCC = +10 V，RB1 = 200 kΩ，RB2 = 200 kΩ，RC = 5 kΩ，RE = 1 kΩ，電晶體電流放大率 β = 100，則此電晶體工作在：VCCRCRB1RB2RE

    1. (A) 截止區
    2. (B) 主動區（active region）
    3. (C) 飽和區（saturation region）
    4. (D) 逆向主動區（reverse active region）

    正解：(C)

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31. 31如圖所示為一波形產生電路，該電路在正常運作中並於某一瞬時間得知該電容器 C 處於放電狀態，則在此瞬時間，下列那一敘述為正確？其中施加於理想 OPA 之電壓為 ± 12 V。iR5 kΩ-+ vOC +vCVf-4 kΩ2 kΩ

    1. (A) vO = 12 V
    2. (B) Vf = -4 V
    3. (C) vC = 6 V
    4. (D) iR = 1.2 mA

    正解：(B)

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32. 32三角波產生電路中各個元件的電性數值如圖中所示，並且測得其輸出頻率為 f，則下列那一種組合的改變可使其輸出頻率為原來的 4 倍＝4f？兩 OPA 可視為理想。- R C- vO+R1 +R2

    1. (A) R1 增為 2 倍、R2 增為 2 倍
    2. (B) R 減半、R1 減半
    3. (C) C 減半、R2 減半
    4. (D) C 減為四分之一、R 增為 2 倍

    正解：(C)

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33. 33由 β1 = 80 及 β2 = 100 的電晶體 Q1 及 Q2 所構成 RC 串級放大電路如圖，第 1、第 2 單級放大電路的基極直流偏壓電流 IB1 與 IB2 均為 25 μA，且測得 Ri2 = 4 kΩ，決定該串級放大電路的總電壓增益大小約為多少？熱電壓 VT = 25 mV。VCCR1 1 kΩ R3C2vi β2 = 100β1 = 80C1 voR2 C3RE CE R42 kΩ 2 kΩRi2=4 kΩ

    

    1. (A) 64
    2. (B) 80
    3. (C) 124
    4. (D) 160

    正解：(A)

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34. 34如圖為一雙極性電晶體電路。雙極性電晶體的 β = 100，VBEactive = 0.7 V，忽略爾利效應。VT = 25 mV，求低頻 3 dB 頻率（選最接近之值）？+20 V10 kΩvoC = 1 μF+ v- sig0.5 mA-5 V

    1. (A) 15.9 Hz
    2. (B) 100 Hz
    3. (C) 3.18 kHz
    4. (D) 20 kHz

    正解：(C)

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35. 35如圖雙穩態電路，其 R1 = 10 kΩ 且 R2 = 20 kΩ，若在 t =0 時輸出電壓 vo 飽和在-10 V；當在 t＞0 時，輸出電壓 vo 突然由-10 V 轉態並飽和在+10 V；試問在 t > 0 時，引起輸出電壓 vo 突然轉態的輸入電壓 vI 狀態為何？ R1 R2v+ +VCCvI +- +vo--VCC

    1. (A) vI < -5 V
    2. (B) vI > +5 V
    3. (C) vI > -5 V
    4. (D) vI < +5 V

    正解：(B)

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36. 36有 一 放 大 器 電 路 的 轉 移 函 數 （ Transfer function ） F(s)=VO (s)/VI (s) 如 下 所 示 ， 其 中 s=jω=j2πf ：10 sF (s) = ，今製作相角∠F(s)的波德曲線圖（Bode plot），欲估計在頻率 f = 3 kHz 時的相s1+6π × 10 2角，下列何者正確？

    1. (A) 大於 60°
    2. (B) 落於 30°至 60°之間
    3. (C) 落於-30°至 30°之間
    4. (D) 小於-30°

    正解：(C)

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37. 37如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，IC = 0.838 mA，VT = 26 mV，β = 100，Cπ = 24 pF，Cμ = 3 pF，忽略爾利（Early）與所有其他電容效應，求相關於輸出端之 3 dB 頻率為何？Vin RS CC1→∞ CC2 →∞ VoRE 10 kΩ 1 kΩRBCB →∞-10 V +10 V

    

    1. (A) 28.4 MHz
    2. (B) 38.4 MHz
    3. (C) 48.4 MHz
    4. (D) 58.4 MHz

    正解：(D)

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38. 38如圖之電路，L1 = L2 = 1 mH，C = 30 pF，若不考慮 R1 對回授網路之負載效應，振盪發生時其振盪頻率為何？R2R1-+ VoCL1 L2

    1. (A) 0.65 MHz
    2. (B) 0.85 MHz
    3. (C) 1.05 MHz
    4. (D) 1.25 MHz

    正解：(A)

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39. 39矽二極體逆向偏壓時，在電路上會有一個等效並聯寄生電容 Cj，這個電容的主要電荷來自下列何者？

    1. (A) P 型 N 型半導體接合面空乏區內部的載子
    2. (B) P 型 N 型半導體接合面空乏區內部的摻雜雜質
    3. (C) P 型 N 型半導體接合面中性區內部的載子
    4. (D) P 型 N 型半導體接合面中性區內部的摻雜雜質

    正解：(B)

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40. 40雙極性接面電晶體（BJT）固定偏壓電路加入射極電阻後，可提高工作點穩定度，這是一種：

    1. (A) 正回授
    2. (B) 負回授
    3. (C) 集極回授
    4. (D) 不具回授的作用

    正解：(B)

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題目與標準答案來源：考選部考畢試題查詢平臺（政府資訊公開資料）。最後更新：2026-10-04。