初等考試　104 年 初等考試 電子學大意　考古題與詳解

本卷共 40 題，其中 38 題附有本站自撰的逐題詳解。題目與標準答案取自考選部「考畢試題查詢平臺」的公開資料；詳解由本站撰寫並標註出處。本頁列出全部題目與標準答案，並免費試讀前 3 題的詳解；其餘詳解在線上作答時逐題顯示。

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1. 1圖中使用一 20 kΩ 的可變電阻構成一增益可調放大器，當電阻 R 值為多少時，最大增益為 51？x 1-xR- VoVi +

   1. (A) 0.2 kΩ
   2. (B) 0.4 kΩ
   3. (C) 0.8 kΩ
   4. (D) 1 kΩ

   正解：(B)

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   ✅ (B) 非反相放大器的增益 Av = 1 + Rf/R。可變電阻全部旋入時回授電阻最大 Rf = 20 kΩ，此時增益最大：51 = 1 + 20k/R，得 R = 20k/50 = 0.4 kΩ。

   ❌ (A) 0.2 kΩ 會使最大增益 = 1 + 20/0.2 = 101，遠大於 51。

   ❌ (C) 0.8 kΩ 的最大增益 = 1 + 20/0.8 = 26，不足 51。

   ❌ (D) 1 kΩ 的最大增益 = 1 + 20/1 = 21，更小。

   📚 出處：電子學．運算放大器／非反相放大器增益 1 + Rf/R

2. 2如圖所示為何種電路？VDDVoVi

   

   1. (A) CMOS 反相器
   2. (B) NMOS 反相器
   3. (C) PMOS 反相器
   4. (D) pseudo-NMOS 反相器

   正解：(B)

   逐題詳解（免費試讀）

   ✅ (B) 圖中上下兩顆電晶體都是 NMOS（源極箭頭向內、閘極端沒有小圓圈）。下方那顆閘極接 Vi 當驅動管，上方那顆的閘極由左側導線接到 VDD、當作負載管，屬於典型的「NMOS 驅動管 + NMOS 負載管」架構，即 NMOS 反相器。

   ❌ (A) CMOS 反相器的上管必須是 PMOS（閘極端要畫小圓圈、源極接 VDD），且上下兩管閘極共接同一個輸入 Vi；本圖上管閘極接的是 VDD 而非 Vi。

   ❌ (C) PMOS 反相器是以 PMOS 當驅動管接收輸入訊號，本圖接輸入 Vi 的下管是 NMOS，不符。

   ❌ (D) pseudo-NMOS 反相器的負載是「閘極接地的 PMOS」，本圖負載是閘極接 VDD 的 NMOS，元件型態不同。

   📚 出處：電子學．MOS 數位電路／NMOS 反相器與 CMOS 反相器的電路辨識

3. 3雙極性接面電晶體為具有幾個端點之元件？

   1. (A) 1 個
   2. (B) 2 個
   3. (C) 3 個
   4. (D) 4 個

   正解：(C)

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   ✅ (C) 雙極性接面電晶體由 NPN 或 PNP 三層半導體構成，對外引出射極 E、基極 B、集極 C 共三個端點，故為三端元件。

   ❌ (A) 單一端點無法形成電流路徑，不可能構成主動元件。

   ❌ (B) 二端點是二極體、電阻、電容這類元件的特徵，BJT 多了一個控制端。

   ❌ (D) 四端點是部分 MOSFET（另含基體 body 端）或閘流體的特徵，不是 BJT。

   📚 出處：電子學．雙極性接面電晶體／結構與端點

4. 4下圖電路中，由輸入端 V1 和 V2 所分別看到的輸入電阻 Rin1、Rin2 為何？5 kΩ 5 kΩV1VoV2 5 kΩ 5 kΩ

   1. (A) Rin1 = 5 kΩ、Rin2 = 5 kΩ
   2. (B) Rin1 = 5 kΩ、Rin2 = 10 kΩ
   3. (C) Rin1 = 10 kΩ、Rin2 = 5 kΩ
   4. (D) Rin1 = 10 kΩ、Rin2 = 10 kΩ

   正解：(B)

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5. 5有關一般二極體空乏區的敘述，下列何者錯誤？

   1. (A) 空乏區又稱空間電荷區
   2. (B) 空乏區中的載子極少，故電阻偏高
   3. (C) 空乏區的寬度隨逆偏電壓而增加
   4. (D) 空乏區中沒有電場存在

   正解：(D)

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6. 6最簡單的截波電路所用的元件有：

   1. (A) 電阻、電容
   2. (B) 電阻、二極體
   3. (C) 電容、二極體
   4. (D) 電容、變壓器

   正解：(B)

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7. 7當 P 型及 N 型材料形成 PN 接面時，接面處會產生一空乏層，而 P 型側之空乏層內主要的帶電粒子為：

   1. (A) 正離子
   2. (B) 負離子
   3. (C) 電子
   4. (D) 電洞

   正解：(B)

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8. 8如圖所示之電路，輸入電壓 vi 為一交流弦波，有效值為 100 V，頻率為 60 Hz，二極體導通之壓降皆為 0.7 V，則其輸出之漣波值約為何？10：1vi+vo2 kΩ 30 μF-

   1. (A) 0.01 V
   2. (B) 0.17 V
   3. (C) 1.77 V
   4. (D) 2.97 V

   正解：(C)

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9. 9有一小訊號等效電路如下圖所示，已知 R1 = 100 kΩ、C2 = 30 nF、R3 = 420 kΩ。試求 Vg (s) / Vi (s) 在 f = 10 Hz的值，其中 s = jω = j2πf ：R1 C2 VgVi+ R3-

   1. (A) 接近-3 dB
   2. (B) 接近-5 dB
   3. (C) 接近-8 dB
   4. (D) 接近-12 dB

   正解：(B)

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10. 10在矽單晶體內，加入何種雜質會形成 P 型半導體？

    1. (A) 碳（C）
    2. (B) 硼（B）
    3. (C) 磷（P）
    4. (D) 鉀（K）

    正解：(B)

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11. 11已知一個矽二極體之逆向飽和電流每升高 10℃約成為原先之兩倍。在溫度 25℃時的逆向飽和電流為 3 nA，當逆向飽和電流增加到 24 nA，則溫度約升到幾度？

    1. (A) 35℃
    2. (B) 45℃
    3. (C) 55℃
    4. (D) 65℃

    正解：(C)

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12. 12圖示理想二極體電路中，輸入 vI 為弦波，其峰值電壓為 10 V，若輸出 vO 的漣波很小，可忽略不計，則二極體 D 的逆向電壓峰值 PIV 約為若干？D ++ vI C vOR--

    1. (A) 10 V
    2. (B) 14 V
    3. (C) 20 V
    4. (D) 28 V

    正解：(C)

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13. 13下圖為一個 CMOS 邏輯電路，請問輸出 F 為何？VDDA ＿＿＿ BB ＿＿＿ AFA ＿＿＿ AB ＿＿＿ B

    

    1. (A) F = A B + AB
    2. (B) F = AB + AB
    3. (C) F = AB
    4. (D) F = AB

    正解：(B)

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14. 14分析以下之電路，若稽納（Zener）二極體之崩潰電壓為 6 V，二極體之導通電壓為 0.7 V，則流過二極體之電流為何？10 V0.5 kΩ2 kΩ

    1. (A) 3.25 mA
    2. (B) 4.3 mA
    3. (C) 6.6 mA
    4. (D) 8 mA

    正解：(A)

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15. 15如圖所示之電路，假設每個二極體的順向壓降為 0.7 V，且順向電阻為 0，則 Io 約為：1 kΩIo2.4 V 1 kΩ

    

    1. (A) 0.3 mA
    2. (B) 1.2 mA
    3. (C) 2.1 mA
    4. (D) 2.4 mA

    正解：(B)

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16. 16若 P-N 接面二極體之導通電壓為 0.7 V，且導通電阻值為 0 Ω。則電阻 10 kΩ 上之電流為何？10 V10 kΩ1V 2V 3V

    1. (A) 0.63 mA
    2. (B) 0.73 mA
    3. (C) 0.83 mA
    4. (D) 0.93 mA

    正解：(C)

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17. 17如圖所示之二極體電路，假設二極體導通電壓 VD0 = 0.7 V。已知電壓 vs (t) = 12 sin (120 πt)V、R = 10 kΩ、C = 47 μF。試求電容 C 的充電頻率為何？vs vODvACR C

    1. (A) 30 Hz
    2. (B) 60 Hz
    3. (C) 90 Hz
    4. (D) 120 Hz

    正解：(B)

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18. 18如圖所示之電路，若 BJT 電晶體操作在順向主動區，忽略爾利效應（Early Effect）與所有其他電容，假使此電路之功率消耗為 2 mW 且-3 dB 頻寬為 1 GHz，熱電壓（Thermal Voltage）Vt = 26 mV，求其最大電壓增益約為何？2.5 VR1VoVin 2 pF

    1. (A) 2.45
    2. (B) 3.45
    3. (C) 4.45
    4. (D) 5.45

    正解：(A)

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19. 19如圖所示之電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region），且忽略元件之寄生電容與輸出阻抗，下列何種調整方式無法增加放大器之頻寬？VDDM1Vi Vo+ I CLVb-

    1. (A) 減低 CL
    2. (B) 增加 Vb
    3. (C) 加大偏壓電流 I
    4. (D) 選用寬長比（W / L）較大之元件

    正解：(B)

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20. 20如圖所示之接面場效電晶體（JFET）放大器，已知工作點閘源極電壓 VGS 為-2.8 V，汲極電流 ID 為 4.5 mA，IDSS 為 16 mA，夾止電壓（Pinch-off Voltage）VP 為-6 V，不考慮接面場效電晶體的交流輸出阻抗 rd 的影響，vo則此放大器的電壓增益 AV（= ）約為多少？vi +9 Vvivo1 MΩ 2 kΩ

    1. (A) 8.6
    2. (B) 4.2
    3. (C) 2.5
    4. (D) 0.8

    正解：(D)

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21. 21一 維 持 工 作 於 飽 和 模 式 （ Saturation Mode ） 的 MOSFET ， 若 其 汲 極 電 流 ID 增 為 4 倍 ， 則 其 轉 導（Transconductance）參數 gm 的值會如何變化？

    1. (A) 增為 4 倍
    2. (B) 增為 2 倍
    3. (C) 減為一半
    4. (D) 減為四分之一

    正解：(B)

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22. 22若雙極性接面電晶體（BJT）工作在主動區（Active Region）的電流 IC = 2 mA，電流放大率 β = 100，則其轉導（Transconductance）gm 約為若干 mA/V？

    1. (A) 20
    2. (B) 40
    3. (C) 80
    4. (D) 100

    正解：(C)

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23. 23接成共射極組態的雙極性接面電晶體（BJT）放大器，其通常之特性為何？

    1. (A) 僅具電流放大特性
    2. (B) 僅具電壓放大特性
    3. (C) 兼具電流與電壓放大特性
    4. (D) 沒有電流或電壓放大特性

    正解：(C)

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24. 24如圖所示放大器，若 BJT 電晶體操作於順向主動區（Forward Active Region）且忽略爾利效應（Early Effect），Vi 為輸入，Vo 為輸出，下列敘述何者錯誤？VCCR2VoR1+Vb-Ib Vi

    1. (A) 該放大器為同相放大器
    2. (B) 增加 R1 則增益增加
    3. (C) 增加 R2 則增益增加
    4. (D) 增加 Ib 則增益增加

    正解：(B)

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25. 25如圖電路為一共源放大器的簡圖，若電晶體之臨界電壓（Threshold Voltage）Vt = 0.5 V；又 VDD = 5 V，RD = 2 kΩ，I = 1.5 mA。若要維持電晶體工作於飽和模式，則輸入電壓 vI 之最大直流值 VI max 為多大？+VDDRDvORO+- vI CSI-VSS

    1. (A) 5 V
    2. (B) 2.5 V
    3. (C) 2 V
    4. (D) 0 V

    正解：(B)

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26. 26下圖為 npn 電晶體之混合 π 等效電路。假設此電晶體在集極電流 IC = 1 mA 時其相關參數為 β = 100、Cμ = 0.08 pF、Cπ = 0.22 pF，且熱電壓 Vt = 0.026 V。請問此電晶體短路電流增益的 3 分貝頻率 fβ 約為多少？CμB C+Vπ rπ Cπ ro- gmVπE

    1. (A) 166 MHz
    2. (B) 174 MHz
    3. (C) 180 MHz
    4. (D) 204 MHz

    正解：(D)

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27. 27圖示雙極性接面電晶體（BJT）電路，若電晶體 β = 100，電流 I = 1 mA，則輸入阻抗 Rin 約為若干 kΩ？+VCC2 kΩ∞ vo∞2 kΩ+ vi- 500 kΩ 175 ΩRin∞I-VEE

    1. (A) 2
    2. (B) 20
    3. (C) 200
    4. (D) 500

    正解：(B)

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28. 28若某一 n 通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET）之臨界電壓（Threshold Voltage）Vt = 1 V，且其汲極-源極電壓差 VDS = 4 V，閘極-源極電壓差 VGS = 2V，則此電晶體係操作在下列何種區域？

    1. (A) 截止區域（cut-off region）
    2. (B) 三極管區域（triode region）
    3. (C) 歐姆區域（ohmic region）
    4. (D) 飽和區域（saturation region）

    正解：(D)

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29. 29分析下圖之電路，若 MOSFET 之轉導值 gm = 1 mA/V 且操作於飽和區，元件之輸出阻抗 ro = 10 kΩ，Rb = 10 kΩ，RD = 10 kΩ，RS = 1 kΩ。試求輸出阻抗 Ro 約為多少？VDDRDVoRbVbRoC1RSVi

    1. (A) 20 kΩ
    2. (B) 10 kΩ
    3. (C) 7 kΩ
    4. (D) 3 kΩ

    正解：(C)

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30. 30如圖之差動對電路，電晶體之 gm = 4 mA/V，Vt = 0.5 V，RL = 10 kΩ，RD = 5 kΩ，RS = 0.25 kΩ，I = 0.8 mA，VDD = -VSS = 5 V，求使電晶體維持工作於飽和模式之共模輸入電壓之最大值 VCMmax 為何？VDDRD RL RDVCM + (vid) /2 - vod + vIQ1 Q2RS VCM -(vid) /2RSIVSS

    1. (A) 2.5 V
    2. (B) 3 V
    3. (C) 3.5 V
    4. (D) 5 V

    正解：(C)

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31. 31下列有關於以運算放大器組成之韋恩電橋振盪器（Wien-Bridge Oscillator）的描述，那一項正確？

    1. (A) 正回授電路是 LC 電路
    2. (B) 負回授電路是電阻組成之分壓電路
    3. (C) 正回授電路的相移是 90°
    4. (D) 正回授量小於負回授量

    正解：(B)

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32. 32如圖所示之理想運算放大器電路，其 -3 dB 頻率為何？2 nF 1 kΩ- Vo5 kΩVi +

    

    1. (A) 65.5 kHz
    2. (B) 75.5 kHz
    3. (C) 85.5 kHz
    4. (D) 95.5 kHz

    正解：(D)

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33. 33如圖之理想運算放大器電路，下列敘述何者正確？RC+VCC-- VC ++ Vo-VCC+ R1R2 VR2-

    1. (A) VR2 之波形為方波
    2. (B) VR2 之波形為三角波
    3. (C) VR2 之波形為正弦波
    4. (D) VR2 之波形為直流

    正解：(A)

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34. 34有一電路的轉移函數 T ( s ) = ，頻率為 10 rad / sec 時，增益約為若干 dB？s +1

    1. (A) 0
    2. (B) 20
    3. (C) 40
    4. (D) 60

    正解：(B)

35. 35下列何者是影響放大器高頻響應衰減的因素？

    1. (A) 旁路電容
    2. (B) 耦合電容
    3. (C) 電晶體的內部電容
    4. (D) 電源供應器的濾波電容

    正解：(C)

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36. 36如圖所示放大器，外接電容為 CC1、CC2 和 CS，MOSFET 的寄生電容為 Cgs 和 Cgd。當電壓增益的絕對值 AV越大時，有關此放大器的頻率響應頻寬 BW，下列敘述何者正確？VDDRDVoRS CC1Q1 CC2RL+ Vsig RG- CSI-VSS

    1. (A) AV 越大，BW 越寬
    2. (B) AV 越大，BW 越窄
    3. (C) AV 與 BW 之間不是絕對的正向或反向關係，BW 主要受其他參數而變寬變窄
    4. (D) AV 與 BW 無關係，BW 不受 AV 影響

    正解：(B)

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37. 37一個 MOS 疊接放大器（Cascode Amplifier）主要是用來達成下列那一個功能？

    1. (A) 降低輸出電阻
    2. (B) 提高電流增益
    3. (C) 提高輸入電阻
    4. (D) 提高頻寬

    正解：(D)

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38. 38有一放大器電路的轉移函數（Transfer Function） F ( s ) = VO ( s ) / VI ( s ) ，其中 s = jω = j2πf ：s1−F ( s ) = 10 2π × 105，欲估計此放大器在高頻的 3 dB 頻率 f 3dB，下列何者正確？⎛ s ⎞⎛ s ⎞⎜1 + 4 ⎟⎜ 1 + 4 ⎟⎝ 2π × 10 ⎠⎝ 8π × 10 ⎠

    1. (A) 接近 5 kHz
    2. (B) 接近 10 kHz
    3. (C) 接近 50 kHz
    4. (D) 接近 100 kHz

    正解：(B)

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39. 39下圖為由理想運算放大器所組成之考畢子振盪器電路，其振盪頻率為何？R1 RFRC1 C2L1 1

    1. (A) f =
    2. (B) f =2π L(C1 + C2 ) 2π LC1C21 1
    3. (C) f =
    4. (D) f =C1 C1C22π L( ) 2π L( )C2 C1 + C2

    正解：(D)

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40. 40分析以下之電路，若 MOSFET 操作在飽和區且轉導值 gm 為 1 mA / V；BJT 操作在順向主動區（Forward ActiveRegion）且轉導值 gm 為 10 mA / V，β = 10。忽略元件之輸出阻抗 ro，試求 Vo / Vi =？VDD10 kΩVi Q1 VoM11 kΩ

    1. (A) 55/6
    2. (B) 55/3
    3. (C) -55/6
    4. (D) -55/3

    正解：(C)

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題目與標準答案來源：考選部考畢試題查詢平臺（政府資訊公開資料）。最後更新：2026-10-04。