初等考試　106 年 初等考試 電子學大意　考古題與詳解

本卷共 40 題，其中 40 題附有本站自撰的逐題詳解。題目與標準答案取自考選部「考畢試題查詢平臺」的公開資料；詳解由本站撰寫並標註出處。本頁列出全部題目與標準答案，並免費試讀前 3 題的詳解；其餘詳解在線上作答時逐題顯示。

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1. 1如圖所示之場效電晶體電路，則此電晶體工作在：

   1. (A) 飽和區（Saturation Region） VDD
   2. (B) 截止區（Cutoff Region） ＿＿＿ RD
   3. (C) 三極管區（Triode Region） ＿＿＿ RG
   4. (D) 主動區（Active Region）

   正解：(A)

   逐題詳解（免費試讀）

   ✅ (A) 場效電晶體閘極不流直流電流，RG 上沒有壓降，使 VGS = VDS；此時 VDS − (VGS − Vth) = Vth > 0，恆滿足飽和區條件 VDS ≥ VGS − Vth，故電晶體工作在飽和區。

   ❌ (B) 截止區要 VGS < Vth 且汲極電流為零，與電路在 RD 上形成偏壓電流的事實不符。

   ❌ (C) 三極管區（線性區）需 VDS < VGS − Vth，但此接法 VDS = VGS，不可能小於 VGS − Vth。

   ❌ (D) 主動區是雙極性電晶體（BJT）的用語，場效電晶體對應的放大區域稱為飽和區，本題選項以 FET 用語為準。

   📚 出處：Sedra & Smith《Microelectronic Circuits》MOSFET 操作區域與二極體接法（diode-connected）偏壓

2. 2在積體電路中，電流源常又具何功用？

   1. (A) 被動負載
   2. (B) 緩衝器
   3. (C) 主動負載
   4. (D) 整流器

   正解：(C)

   逐題詳解（免費試讀）

   ✅ (C) 積體電路中電流源具有極高的小訊號輸出阻抗，常用來取代大電阻作為「主動負載」以提高增益。

   ❌ (A) 被動負載指電阻、電容等被動元件。

   ❌ (B) 緩衝器是用來隔離級間負載效應的電路（如源極隨耦器）。

   ❌ (D) 整流器由二極體構成，用於交流轉直流。

   📚 出處：電子學（電流鏡與主動負載）

3. 3場效電晶體之本體效應（Body effect）是討論：

   1. (A) 本體（Body）的電壓可控制汲極（Drain）電流
   2. (B) 本體（Body）的電流可控制閘極（Gate）電流
   3. (C) 汲極（Drain）的電流可控制本體（Body）電流
   4. (D) 閘極（Gate）的電壓可控制本體（Body）電壓

   正解：(A)

   逐題詳解（免費試讀）

   ✅ (A) 本體效應指本體（基板）與源極間的逆偏電壓會改變臨界電壓，進而影響汲極電流，即本體電壓可調控汲極電流。

   ❌ (B) 閘極為絕緣結構，本體電流不會控制閘極電流。

   ❌ (C) 汲極電流不控制本體電流。

   ❌ (D) 閘極電壓控制的是通道，而非本體電壓。

   📚 出處：電子學（MOSFET 的本體效應 body effect）

4. 4如圖所示為理想運算放大器電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為 ± 12 V，二極體導通時兩端電壓為 0.7 V，輸入電壓 VI 為+2 V，則 VA 為若干 V？

   1. (A) -2.7 VI +VA－
   2. (B) 1.3
   3. (C) 2.7VO
   4. (D) +12

   正解：(C)

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5. 5如圖所示一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 Vth = 0.5 V 。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V，VE = -2 V。若 VE 由-2 V 增加到-3 V，試判斷此電晶體的臨界電壓的絕對值 Vth 如何變化？VD1 VDVD2D 層：0.5 μm C 層：0.01 μmD1 層 D2 層n+ B 層：0.1 μm n+p- A 層：400 μmE 層：0.8 μm

   1. (A) Vth 增加 VE
   2. (B) Vth 減少
   3. (C) Vth 不受影響
   4. (D) Vth 會受影響，但增加或減少由接面的功函數（work function, φf）決定

   正解：(A)

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6. 6有一運算放大器如圖所示，已知其轉移方程式（transfer function）為 V3 =1002 × V2－998 × V1，請問其共模電壓增益（common-mode gain）約為多少？

   1. (A) 6 dB VCC
   2. (B) 12 dB
   3. (C) 18 dB V1
   4. (D) 24 dB －V3+V2-VEE

   正解：(B)

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7. 7有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 v i1、v i2 的電壓波形如圖所示，V CC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω，CL = 5 μF，電晶體電流增益 βQ1 = βQ2 = 100。試研判電晶體 Q1 在時間點 0 最可能的工作模式：VCCQ2 5Vvi1 R2R4vo ~4V ~2V 0Vvi10 t1 T t2CL tQ1 R1vi2R3 vi2 ~2V 0V ~4V 5V0 t1 T t2 t

   

   1. (A) 飽和模式（Saturation mode）
   2. (B) 線性模式（Linear mode）
   3. (C) 主動模式（Active mode）
   4. (D) 截止模式（Cut-off mode）

   正解：(A)

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8. 8如圖所示為一 NMOS 構成的放大器。若 VDD = 3V，電晶體之 μnCox = 200 μA/V2，W/L = 10，Vth = 0.5 V。試問電晶體的過驅電壓 VOV 為多少？

   1. (A) 0.5 V
   2. (B) 1 V VDD
   3. (C) 1.5 V
   4. (D) 3 V I = 1 mA1 MΩvoC=∞viC=∞

   正解：(B)

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9. 9類比積體電路中，使用差動對放大器，下列何者錯誤？

   1. (A) 差動對具有寬廣的共模輸入範圍（common-mode range）串級時可避免使用耦合電容
   2. (B) 與單電晶體放大器比較，差動對使用兩個電晶體，因此可提供兩倍的轉導
   3. (C) 差動對的共模增益遠小於差模增益
   4. (D) 差動對電路中元件的不對稱性會產生抵補電壓（offset voltage）

   正解：(B)

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10. 10一個電壓 v 對時間 t 的函數為 v(t) = 10 + 6 sin(2πft)伏特，f = 60 Hz。將此電壓加到一個 1 Ω 的電阻之上，試問此電阻承受的功率為何？

    1. (A) 18 W
    2. (B) 36 W
    3. (C) 100 W
    4. (D) 118 W

    正解：(D)

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11. 11如圖所示運算放大器電路中，若電壓增益 A 為無限大且抵補電壓（offset voltage）VOS 不計，試求輸出電壓 Vo =？ 10 kΩ

    1. (A) 8 V 10 kΩ
    2. (B) 6 V 2V －Vo
    3. (C) 4 V A
    4. (D) 2 V 6V +5 kΩ5 kΩ

    正解：(C)

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12. 12差動式放大器中，共模斥拒比（common-mode rejection ratio）定義為 CMRR ≡ Ad / Acm ，其中 Ad 為差動增益、Acm 為共模增益，試問就差動式放大器的 CMRR 設計，下列何者正確？

    1. (A) CMRR = 0
    2. (B) CMRR = 1
    3. (C) CMRR << 1
    4. (D) CMRR >> 1

    正解：(D)

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13. 13輸入有正弦信號 vi(t) = Vmsin(ωt)伏特的理想箝位電路如圖所示，當測得電容器所跨電壓為 8 伏特且輸出信號 vo(t)的最小值為-18 伏特時，求 Vm 與 VR 之總和電壓為多少伏特？

    1. (A) -10 V + VC －
    2. (B) 10 V
    3. (C) 12 V C+ D +
    4. (D) 26 Vvi(t) + R vo(t)－ VR －－

    正解：(C)

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14. 14有一橋式全波整流電路，其中之二極體均為理想。假設其輸出信號的峰值電壓為 14.14 伏特，若有效值電壓為 a 伏特、平均值電壓為 b 伏特、漣波電壓峰對峰值為 c 伏特及漣波因素為 r%，則有關 a、b、c、r 的數值，下列那一選項為正確？

    1. (A) a = 10，b = 9
    2. (B) b = 9，c = 20
    3. (C) c = 20，r = 48
    4. (D) r = 48，a = 14.14

    正解：(A)

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15. 15如圖所示的二極體-電容器倍壓電路中，變壓器與所有二極體均視為理想且變壓器之輸入為一弦波，當電路到達穩定狀態時 VC1 = 12 伏特，有關二極體 D1~D3 承受之逆向峰值電壓 PIV1~PIV3（單位均伏特）之敘述，何者正確？ N1：N2 － VC1 +

    1. (A) PIV1 = 12 VC1 D2 +
    2. (B) PIV2 = 24 V C VD1 2 C2
    3. (C) PIV3 = 36 V －
    4. (D) PIV3 = 2PIV1T +C3 VC3D3－

    正解：(B)

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16. 16截波電路（D 為理想二極體）中的偏壓電源 VR = 6 伏特，配合圖示之週期性輸入三角波信號決定該二極體 D 於單一週期輸入信號中導通的百分比為多少？

    

    1. (A) 25%vi(t)
    2. (B) 50%
    3. (C) 60% 12 + VR D +4 8 R v (t)
    4. (D) 75% t vi(t) o-12 －－

    正解：(A)

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17. 17如圖所示之電路，假如二極體為理想，求其輸出電壓之平均值為何？

    1. (A) 11.6 V
    2. (B) 21.6 V
    3. (C) 30.6 V +
    4. (D) 110 V AC34Vrmsvout60 Hz－

    正解：(C)

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18. 18如圖所示之電路，假如二極體為理想，求其輸出電壓之平均值為何？

    1. (A) 35.01 V
    2. (B) -35.01 V
    3. (C) 49.52 V +
    4. (D) -49.52 V vo110 2 sin(377t )－

    正解：(D)

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19. 19如圖所示的二極體電路，二極體 D1 與 D2 為理想，此電路轉移函數（transfer funciton）中的轉折點之輸入及輸出電壓為何？

    

    1. (A) -1 V 及 -1 V 1 kΩ D1 1 kΩ VOUT
    2. (B) -1 V 及 -2 V
    3. (C) -2 V 及 -1 V VIN VOUT－ VIN
    4. (D) -2 V 及 -2 V 2V+D2

    正解：(D)

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20. 20如圖所示之電路包含三個串接的二極體及兩個串接電阻，若 VIN 為 10 V 且二極體的開啟電壓（turn-onvoltage）為 0.8 V，求 VOUT？

    1. (A) 2.4 V VIN 1 kΩ VOUT
    2. (B) 6.2 V
    3. (C) 10 V
    4. (D) 12.4 V1 kΩ

    正解：(B)

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21. 21如圖所示之電路中，若變壓器二次側 vs = Vm sinωt，則 iD1 之波形為何？

    

    1. (A) VD1
    2. (B) iD1+
    3. (C) －vo
    4. (D) iR+Rvs－iD2+－VD2π2πωt

    正解：(A)

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22. 22利用一個二極體做交流半波整流，其輸出波形之峰值大小比起原輸入訊號 Vs 峰值大小：

    1. (A) 大一個二極體順向啟動電壓
    2. (B) 大兩個二極體順向啟動電壓
    3. (C) 小一個二極體順向啟動電壓
    4. (D) 小兩個二極體順向啟動電壓

    正解：(C)

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23. 23如圖所示之放大器電路，電晶體 J 之參數如下：IDSS = 8 mA，VP = -4 V，求此電路之小信號輸出阻抗值為何？ +10 V

    1. (A) 1 kΩ
    2. (B) 1/2 kΩ
    3. (C) 1/3 kΩ
    4. (D) 1/4 kΩ 1 MΩvi Jvo250 kΩ2 kΩ 2 kΩ

    正解：(C)

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24. 24如圖所示之放大器電路，電晶體 M 之參數如下：Vth = 0.4 V，μnCox = 200 μA/V2，且 λ = 0，若此放大器電路之小信號電壓增益值為 0.85，則此電晶體 M 之 W/L 最接近下列何值？

    1. (A) 267 +1.8 V
    2. (B) 367
    3. (C) 467
    4. (D) 567vi Mvo1.2 mA 500 Ω

    正解：(A)

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25. 25如圖所示之放大器電路，假設此電路之輸入阻抗為 50 Ω，輸出阻抗為 150 Ω，且 λ = 0；求此放大器電路之小信號電壓增益值為何？

    1. (A) 1
    2. (B) 3 VDD
    3. (C) 5
    4. (D) 50RDvoutM1vin

    正解：(B)

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26. 26如圖所示之放大器電路，假設電晶體 M 之參數如下：μnCoxW/L= 0.2 mA/V2，Vth = 2 V，且 λ = 0；求此放大器電路之小信號輸入電阻 Ri 之值為何？

    1. (A) 416 kΩ VDD = 10 V
    2. (B) 516 kΩ
    3. (C) 616 kΩ
    4. (D) 716 kΩ 15 kΩ5 MΩvoRiviM

    正解：(D)

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27. 27如圖所示之電路，假定 β = 100 且 VEB(on) = 0.6 V，求 VEC 之值為何？

    1. (A) 2.1 V
    2. (B) 2.5 V 5V
    3. (C) 2.9 V +
    4. (D) 3.3 V +VEB500 kΩ －VBB = 1.5 V VEC－5 kΩ

    正解：(A)

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28. 28如圖所示之共射極放大器，其偏壓電路的主要優點為何？

    1. (A) 所需偏壓電阻較小 VCC
    2. (B) 可操作於較低的電壓
    3. (C) 放大器的增益較大
    4. (D) 電晶體必定操作在主動區 RLR B

    正解：(D)

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29. 29如圖所示電路中，若輸出端 VX 的直流電壓為 3 V，電晶體的 VGS 為 1.5 V，求 R1/R2 為何？

    1. (A) 1/35V 5V
    2. (B) 2/3
    3. (C) 3/2 R1 2 kΩ
    4. (D) 2/5VX+VGS －R2 500 Ω

    正解：(C)

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30. 30如圖所示之共閘極放大器，若要使電壓增益提升為原有值的兩倍，下列敘述何者錯誤？

    1. (A) 將 RL 變成兩倍 VDDVG
    2. (B) 將轉導 gm 變成兩倍
    3. (C) 將過驅電壓（VGS－VTH）變成 1/2 倍 RG RL
    4. (D) 將 ID 變成兩倍voviID

    正解：(D)

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31. 31如圖所示之 BJT 電路，假設 Q1 與 Q2 特性相同，VT = 25 mV 且 β = 100，求輸出電阻 Zout？

    

    1. (A) 2.5 Ω
    2. (B) 5 Ω
    3. (C) 7.5 Ω
    4. (D) 10 ΩQ1I = 0.1 mAQ2Zout

    正解：(B)

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32. 32一個雙極性電晶體（BJT）元件的規格 β = 100，若其基極電流為 20 μA，集極電流為 1.2 mA，則電晶體操作在：

    1. (A) 截止區
    2. (B) 主動區
    3. (C) 飽和區
    4. (D) 三極管區

    正解：(C)

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33. 33如圖所示為一方波產生電路，於某個時間點測得其中電壓 Vf 值為 10 伏特，其中施加於理想 OPA 之電壓為 ± 15 V，則電路輸出訊號的頻率約為多少？

    1. (A) 1.55 kHz
    2. (B) 3.25 kHz1 kΩ
    3. (C) 6.75 kHz
    4. (D) 8.25 kHz －0.2 μF + vOVfR2R1

    正解：(A)

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34. 34如圖一與圖二所示，為由 R1、R2 與理想 OPA 所構成的兩種不同施密特觸發電路，OPA 均採用相同的操作電源電壓，R1= 2 kΩ。若兩電路之輸出電壓 vo 均為正值時，圖一與圖二之 vi 臨界電壓分別為-10及 6 伏特，則 R2 為多少？

    1. (A) 1 kΩ
    2. (B) 2 kΩ － －vi
    3. (C) 3 kΩ + + vovo
    4. (D) 4 kΩviR1 R2 R1 R2圖一 圖二

    正解：(C)

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35. 35如圖所示電路為 CMOS 放大器，下列有關電容 C1 功能之敘述，何者正確？+VDDQ6 ＿＿＿ Q7 ＿＿＿ Q8vi－ ＿＿＿ vi+ ＿＿＿ voQ1 ＿＿＿ Q2C1IREFQ3 ＿＿＿ Q4 ＿＿＿ Q5-VSS

    1. (A) 旁路電容（bypass capacitor）
    2. (B) 耦合電容（coupling capacitor）
    3. (C) 頻率補償電容（frequency compensation capacitor）
    4. (D) 濾波電容（filter capacitor）

    正解：(C)

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36. 36下列何電路適用於產生方波訊號？

    1. (A) 考畢茲振盪電路（Colpitts oscillator）
    2. (B) 相移振盪電路（Phase shift oscillator）
    3. (C) 韋恩電橋振盪器（Wien-Bridge oscillator）
    4. (D) 無穩態多諧振盪電路（Astable multivibrators）

    正解：(D)

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37. 37下列那一種單級電晶體放大器結構會有密勒效應（Miller effect）使高頻響應劣化？

    1. (A) 共基極放大器
    2. (B) 共源極放大器
    3. (C) 射極隨耦器
    4. (D) 共閘極放大器

    正解：(B)

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38. 38如圖所示為一施密特（Schmitt）觸發器，OP AMP 輸出的上下限為 ± 12 V。若要使輸出由負轉正時，vi 應到達何值？

    1. (A) -10 V vi－
    2. (B) -2 V vo
    3. (C) 2 V
    4. (D) 10 V +2 MΩ 10 MΩ

    正解：(B)

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39. 39如圖所示電晶體放大器電路加上旁路電容 CE 後，放大器的中頻段電壓增益會有什麼變化？

    1. (A) 變無窮大 +VCC
    2. (B) 變小RC C
    3. (C) 不變 2RB vo
    4. (D) 變大 C1+ RLvi－CE RE

    正解：(D)

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40. 40如圖所示為韋恩電橋振盪器（Wien-Bridge oscillator），已知 R = 10 kΩ 和 C = 16 nF，試求振盪頻率fo 約為多少？ R2

    1. (A) 1 kHzR1
    2. (B) 2 kHz －
    3. (C) 6.25 kHz vo
    4. (D) 12.5 kHz +C RvaC R

    正解：(A)

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題目與標準答案來源：考選部考畢試題查詢平臺（政府資訊公開資料）。最後更新：2026-10-04。