初等考試　115 年初等考試電子學大意　考古題與詳解

本卷共 40 題，其中 40 題附有本站自撰的逐題詳解。題目與標準答案取自考選部「考畢試題查詢平臺」的公開資料；詳解由本站撰寫並標註出處。本頁列出全部題目與標準答案，並免費試讀前 3 題的詳解；其餘詳解在線上作答時逐題顯示。

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1兩電壓 v1(t) = 8 cos(20πt+13°)及 v2(t) = 4sin(20πt+45°)則兩電壓的相位差為多少度？
1. (A) 58 度
2. (B) 45 度
3. (C) 32 度
4. (D) 13 度
正解：(A)
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✅ (A) 先化為同一函數：4sin(20πt＋45°)＝4cos(20πt－45°)，相位差＝13°－(－45°)＝58°。
❌ (B) 45° 只是第二式原本的相角。
❌ (C) 32° 是把兩相角相減卻未先轉換函數。
❌ (D) 13° 只是第一式的相角。
📚 出處：電子學．交流電路／相位差
2pn 接面二極體，p 型和 n 型雙邊的摻雜濃度皆為 1016 cm-3，該接面空乏層厚度為 0.2 μm，接面的面積為 5 μm × 5 μm，儲存於 pn 接面某一邊的空乏層電荷為多少？
1. (A) 4×10-15 庫倫
2. (B) 8×10-15 庫倫
3. (C) 12×10-15 庫倫
4. (D) 16×10-15 庫倫
正解：(A)
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✅ (A) 摻雜對稱故單邊空乏層寬 0.1 μm；Q＝q·N·A·x＝1.6×10⁻¹⁹×10¹⁶×2.5×10⁻⁷×10⁻⁵＝4×10⁻¹⁵ 庫倫。
❌ (B) 8×10⁻¹⁵ 是把整個空乏層寬度都算在一邊。
❌ (C) 12×10⁻¹⁵ 與計算結果不符。
❌ (D) 16×10⁻¹⁵ 同樣高於實際值。
📚 出處：電子學．半導體元件／pn 接面
3有關矽半導體材料之敘述，下列何者正確？
1. (A) 具有五個價電子的雜質加入純矽半導體稱為受體元素
2. (B) P 型半導體的少數載子是電洞
3. (C) N 型半導體的多數載子是電洞
4. (D) 純矽的電子濃度等同於電洞濃度
正解：(D)
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✅ (D) 本質（純）矽中電子與電洞成對產生，兩者濃度相等。
❌ (A) 五價雜質提供電子，屬施體元素。
❌ (B) P 型半導體的少數載子是電子。
❌ (C) N 型半導體的多數載子是電子。
📚 出處：電子學．半導體材料／載子濃度
4PNP 雙極性接面電晶體的順向主動區模式和逆向主動區模式二者相較，在順向主動區模式時，下列何者正確？
1. (A) 射極和基極接面之間的空乏區範圍較寬，集極和基極接面之間的空乏區範圍也較寬
2. (B) 射極和基極接面之間的空乏區範圍較寬，集極和基極接面之間的空乏區範圍較窄
3. (C) 射極和基極接面之間的空乏區範圍較窄，集極和基極接面之間的空乏區範圍較寬
4. (D) 射極和基極接面之間的空乏區範圍較窄，集極和基極接面之間的空乏區範圍也較窄
正解：(C)
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5有關雙極性接面電晶體偏壓電路之敘述，下列何者正確？
1. (A) 當電晶體未飽和時，β 值會隨工作溫度上升而變小
2. (B) 具射極電阻的分壓式偏壓電路，工作點 IC 易隨 β 值變動
3. (C) 集極回授式偏壓電路的基極電阻具正回授特性
4. (D) 射極回授式偏壓電路的射極電阻具負回授特性
正解：(D)
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6雙極性接面電晶體如圖所示，在主動區操作，β 值為 100，有關電流之敘述，下列何者正確？
1. (A) 電流包括電子流和電洞流，主要電流從射極流向集極
2. (B) 電流包括電子流和電洞流，主要電流從集極流向射極
3. (C) 電流僅電子流，主要電流從射極流向集極
4. (D) 電流僅電子流，主要電流從集極流向射極
正解：(B)
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7如圖，放大器與放大器串接之耦合電容器 C 與後級放大器的輸入電阻 Ri 一起作用會形成何種電路響應？
1. (A) 低通電路響應
2. (B) 帶通電路響應
3. (C) 高通電路響應
4. (D) 全通電路響應
正解：(C)
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8以增強型 N 通道 MOSFET 作為開關之敘述，下列何者錯誤？
1. (A) 夾止飽和區作為開關 ON 的主要特性區域
2. (B) 截止區作為開關 OFF 的主要特性區域
3. (C) 以閘極電壓 VGS 控制開關 ON 和 OFF
4. (D) 閘極電壓值 VGS 會影響汲極和源極間等效電阻值 RDS 的大小
正解：(A)
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9一晶片含有 106 個 CMOS 邏輯閘，每個邏輯閘負載電容為 40 fF。該晶片電源為 3.3 V，頻率為 500 MHz，該晶片最大總功率散逸為何？
1. (A) 0.2178 W
2. (B) 2.178 W
3. (C) 21.78 W
4. (D) 217.8 W
正解：(D)
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10下列何種方式無法用於運算放大器放大倍數的控制？
1. (A) 負回授
2. (B) 正回授
3. (C) 電流回授
4. (D) 電壓回授
正解：(B)
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11如圖所示，互轉阻值（Transresistance）定義為 Rm=vo/ii。若運算放大器 A 為無限大，則 Rm 為何？ii RfiiAvivo
1. (A) 0
2. (B) Rf
3. (C) -Rf
4. (D) 無限大
正解：(C)
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12有關積體電路製造廠所使用之矽晶圓，其基材為下列何者？
1. (A) 矽砂
2. (B) 冶金級的矽
3. (C) 單晶矽
4. (D) 多晶矽
正解：(C)
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13一半波整流電路若其輸出的電壓有效值為 30 V，其峰值電壓（Vp）為何？
1. (A) 15 V
2. (B) 21.2 V
3. (C) 42.4 V
4. (D) 60 V
正解：(D)
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14圖為全波橋式整流器，二極體的切入電壓為 0.7 V，輸入為 120 Vrms 之正弦波，當 D2、D3 導通時，D1 和 D4 受到的逆向峰值電壓（PIV）約為何？T1D1 D2120 Vrms60 Hz3:1 D3 D4150 Ω
1. (A) 27.58 V
2. (B) 39.3 V
3. (C) 119.3 V
4. (D) 55.86 V
正解：(D)
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15如圖所示稽納二極體（Zener Diode）電路，若稽納電壓 VZ = 11 V 及稽納內電阻為 0 Ω，則稽納二極體所消耗的最大功率約為何（RL=∞）？
1. (A) 1.45 W
2. (B) 2.65 W
3. (C) 5.45 W
4. (D) 8.15 W
正解：(B)
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16如圖所示電路，輸入弦波電壓峰值為 110 V，變壓器線圈匝數比為 10：1，假設二極體導通電壓為 0.7 V，負載電阻 RL 電壓的峰值為何？D1Vin(p) = 110 VRLD2
1. (A) 4.8 V
2. (B) -4.8 V
3. (C) 10.3 V
4. (D) -10.3 V
正解：(B)
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17倍壓電路的輸出電壓，取自下列何種元件的跨壓？
1. (A) 電感
2. (B) 電阻
3. (C) 電容
4. (D) 二極體
正解：(C)
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18假設理想稽納二極體（Zener Diode）參數如下：VZ = 18 V、IZK = 1 mA、IZM = 45 mA，rZ = 0 Ω，如圖中的稽納二極體仍然可以穩壓工作的前提下，負載的最大電流值為何？
1. (A) 20 mA
2. (B) 19 mA
3. (C) 5 mA
4. (D) 0 mA
正解：(B)
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19如圖所示電路，圖中的正弦波為輸入電壓，若二極體的切入電壓為 0.7 V，則其最大輸出電壓為何？Vin＋Vin Vout－
1. (A) 0V
2. (B) 0.7 V
3. (C) 5.55 V
4. (D) 6.35 V
正解：(D)
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20如圖所示電路及輸入波形，假設二極體的切入電壓為 0.7 V，則輸出電壓的上限為何？＋－
1. (A) -0.7 V
2. (B) 0V
3. (C) 0.7 V
4. (D) 10 V
正解：(C)
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21如圖所示之電路，結果得到輸出端 VO 為 0 V，可能發生的問題為何？C1VOV1 47μF D1 R11 kΩV215Vrms 7V1kHz0°
1. (A) D1 開路
2. (B) C1 開路
3. (C) C1 短路
4. (D) R1 開路
正解：(B)
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22如圖所示電路，D1 為理想二極體，若脈波 Vi 的工作週期（duty cycle）為 50%且其最大值為 4 V、最小值為 0 V，則 Vo 的平均值為何？
1. (A) 3V
2. (B) 2.5 V
3. (C) 2V
4. (D) 1.5 V
正解：(A)
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23有關放大器電路，下列敘述何者與工作點選擇的目的無關？
1. (A) 可調整放大器增益
2. (B) 可調整輸入電阻
3. (C) 可調整輸出訊號失真程度
4. (D) 可調整輸入訊號頻率
正解：(D)
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24某電路中的 NPN 雙極性接面電晶體（BJT），經實驗量測其基極之電壓為 2 V，射極的電壓為 1.4 V，集極電壓為 1.6 V，此電晶體在下列何工作區？VCCVBB RCRBRE
1. (A) 主動區（Active Region）
2. (B) 飽和區（Saturation Region）
3. (C) 截止區（Cutoff Region）
4. (D) 逆向主動區（Reverse Active Region）
正解：(B)
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25有一如圖之 BJT 電路，若 VBE = 0.7 V，RB = 100 kΩ，β= 99，則 VC 應為何？RBVC
1. (A) 1.32 V
2. (B) 2.72 V
3. (C) 3.05 V
4. (D) 3.86 V
正解：(B)
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26圖為一個電容式全波整流電路再接一個 RC 濾波電路，針對 R2 和 C2 形成的 RC 濾波電路之敘述，下列何者正確？R2T1Va 600 Ω Vb110 Vrms60 Hz C210:1 R1C1 25μF150 Ω 25μF
1. (A) 為高通濾波電路
2. (B) 增益大於 1
3. (C) 加入此 RC 濾波電路，Vb 的漣波電壓小於 Va 的漣波電壓
4. (D) R2 和 C2 形成的 RC 濾波電路的轉折頻率為 70 Hz
正解：(C)
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27圖中放大器電路 VCC=5 V、RB1=30 kΩ、RB2=20 kΩ、RC=RE=1.2 kΩ，電晶體參數為：VBE=0.7 V、β=119，放大器電路消耗的功率約為何？VCCRCRB1RB2 RE
1. (A) 4.5 mW
2. (B) 5 mW
3. (C) 5.5 mW
4. (D) 6 mW
正解：(C)
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28有關 BJT 的爾利效應（Early effect）之敘述，下列何者正確？
1. (A) 爾利電壓（Early voltage）可直接在 BJT 的 C-E 端點量測取得
2. (B) 考慮爾利效應時，BJT 的輸出電阻值（output resistance）為無窮大
3. (C) 爾利效應是 VCE 增加時，則 BJT 的有效 B 極寬度增加
4. (D) BJT 在 CE 組態時，若 VCE 增加時，則 BJT 的 C 極電流會增加
正解：(D)
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29一雙極性接面電晶體具有以下參數：fT=800 MHz、Cμ=2 pF、Cπ=6 pF，其轉導 gm 的最接近值為何？
1. (A) 20 mA/V
2. (B) 40 mA/V
3. (C) 60 mA/V
4. (D) 80 mA/V
正解：(B)
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30有關共集極（Common Collector）組態相較於共基極、共射極組態之特性，下列敘述何者正確？
1. (A) 輸入電阻 Ri 最高
2. (B) 輸出電阻 Ro 最高
3. (C) 電壓增益 AV 最高
4. (D) 電流增益 AI 最低
正解：(A)
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31圖中放大器電路中電晶體的 VTH= -1 V，μpCox(W/L)=2 mA/V ，放大器的輸入電阻 Rin 為何？ 210 V2 kΩ6 MΩvo30 kΩvsig9 MΩ 5 kΩRin
1. (A) 2 kΩ
2. (B) 3.6 MΩ
3. (C) 9 MΩ
4. (D) ∞ Ω
正解：(B)
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32圖中放大器電路中電晶體的 VTH= 1 V，VA=∞ V，μnCox(W/L)=2 mA/V2，放大器的輸出電阻 Rout 為何？VDDRout10 kΩ∞ vo10 kΩ∞100 kΩ vivsig 1 mA-VSS
1. (A) 0.5 kΩ
2. (B) 1 kΩ
3. (C) 5 kΩ
4. (D) 10 kΩ
正解：(D)
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33運算放大器並非元件，實際上為積體電路，其內部電路依輸入到輸出可分成三大部分。因運算放大器輸入阻抗很大，其輸入端應為下列何者？
1. (A) 推挽（push-pull）放大器
2. (B) 差動放大器
3. (C) 電壓放大器
4. (D) 電感
正解：(B)
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34如圖所示 R1=335 kΩ，R2=125 kΩ，RC=2.2 kΩ，RE=1 kΩ。已知電晶體 Q1 之 β1=100，rπ1 =200 kΩ；電晶體 Q2 之 β2=100，rπ2 =2 kΩ。求此電路之電壓增益 Vo/Vi 約為何？VCC VCCRCR1 VoVi Q1CCQ2R2RE CP
1. (A) -55.82
2. (B) -5.82
3. (C) 5.82
4. (D) 55.82
正解：(A)
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35NPN 雙極性接面電晶體，在主動區操作，集極電流為 1.96 mA，α 值為 0.98，基極電流為何？
1. (A) 0.02 mA
2. (B) 0.04 mA
3. (C) 0.06 mA
4. (D) 0.08 mA
正解：(B)
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36如圖所示電路，為何種型態之正弦波產生電路？
1. (A) 韋恩電橋振盪電路
2. (B) RC 相移振盪電路
3. (C) 考畢子振盪電路
4. (D) 哈特萊振盪電路
正解：(C)
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37如圖所示之振盪電路，其電路型態為下列何者？
1. (A) 韋恩電橋振盪電路
2. (B) 無穩態多諧振盪電路
3. (C) 雙穩態多諧振盪電路
4. (D) 單穩態多諧振盪電路
正解：(C)
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38在電晶體開關電路中，若論其切換時間，則下列何者正確？
1. (A) 同尺寸下，N-MOSFET 比 P-MOSFET 切換時間較長
2. (B) 同尺寸下，NPN 比 PNP 雙極性接面電晶體切換時間較短
3. (C) 同尺寸下，C-MOSFET 與 P-MOSFET 切換時間相同
4. (D) 同尺寸下，C-MOSFET 比 N-MOSFET 切換時間較長
正解：(B)
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39圖示為一無穩態多諧振盪電路，電路中運算放大器之輸出飽和電壓為±12 V，則其正回授迴路之下臨界電壓（voltage of lower threshold）VTL 值為何？1 MΩ0.1 μF VCCVCC VO500 kΩ 1 MΩ
1. (A) -4 V
2. (B) -6 V
3. (C) -8 V
4. (D) -12 V
正解：(A)
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40圖示電路，若電晶體的 μnCox(W/L)= 20 mA/V ，RD = 10 kΩ，I = 0.1 mA，則輸入阻抗 Rin 約為何？VDDRDvoC2C1vi IRin-VSS
1. (A) 50 Ω
2. (B) 100 Ω
3. (C) 250 Ω
4. (D) 500 Ω
正解：(D)
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題目與標準答案來源：考選部考畢試題查詢平臺（政府資訊公開資料）。最後更新：2026-10-04。

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