初等考試　112 年初等考試電子學大意　考古題與詳解

本卷共 40 題，其中 36 題附有本站自撰的逐題詳解。題目與標準答案取自考選部「考畢試題查詢平臺」的公開資料；詳解由本站撰寫並標註出處。本頁列出全部題目與標準答案，並免費試讀前 3 題的詳解；其餘詳解在線上作答時逐題顯示。

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1電壓 v1 (t) = 5cos(πt + 45°) 及 v2 (t) = −5sin(πt + 45°) ，則兩電壓之相位差為多少度？
1. (A) v2 電壓領先 v1 電壓 45°
2. (B) v2 電壓落後 v1 電壓 90°
3. (C) v2 電壓落後 v1 電壓 45°
4. (D) v2 電壓領先 v1 電壓 90°
正解：(D)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (D) v₂＝−5sin(πt＋45°)＝5cos(πt＋135°)，比 v₁ 的相角多 90°，故領先 90°。
❌ (A) 兩者相位差為 90° 而非 45°。
❌ (B) v₂ 為領先而非落後。
❌ (C) 相位差與領先落後的判斷皆錯。
📚 出處：電子學．交流訊號／相位比較
2某矽二極體在溫度 20℃時的逆向飽和電流為 5 nA，若溫度上升至 50℃時，則逆向飽和電流約為何？
1. (A) 20 nA
2. (B) 30 nA
3. (C) 40 nA
4. (D) 50 nA
正解：(C)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (C) 逆向飽和電流約每升溫 10℃ 倍增，升溫 30℃ 為 2³＝8 倍，5 nA×8＝40 nA。
❌ (A) 20 nA 相當於僅升溫 20℃。
❌ (B) 30 nA 不符倍增的規律。
❌ (D) 50 nA 與倍增計算不符。
📚 出處：電子學．二極體／溫度效應
3在矽半導體材料中，摻雜三價元素的雜質，熱平衡下此半導體形成何種型式？半導體內多數載子為何？此半導體呈現的電性為何？
1. (A) N 型半導體、電子、電中性
2. (B) N 型半導體、電子、負電
3. (C) P 型半導體、電洞、正電
4. (D) P 型半導體、電洞、電中性
正解：(D)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (D) 摻雜三價（受體）雜質形成 P 型半導體，多數載子為電洞，整體仍維持電中性。
❌ (A) 摻雜三價元素不會形成 N 型。
❌ (B) 半導體整體不帶負電。
❌ (C) P 型半導體整體呈電中性，不帶正電。
📚 出處：電子學．半導體物理／摻雜
4雙極性接面電晶體（BJT）基極的厚度很薄，主要考量為何？
1. (A) 增加基極電流
2. (B) 減少集極電流
3. (C) 減少由射極出發通過接面到達基極的載子被復合（recombination）的機會
4. (D) 增加由基極通過接面到達集極的載子被復合（recombination）的機會
正解：(C)
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5圖示之電路，雙極性電晶體 β = 250 ，基-射極導通電壓 VBE = 0.7 V ，則其集-射極電壓 VCE 約為何？VCC = +15 VR1 10 kΩ RC 1 kΩR2 5 kΩ RE 1 kΩ
1. (A) 5.52 V
2. (B) 6.52 V
3. (C) 7.52 V
4. (D) 8.52 V
正解：(B)
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6有一雙極性接面電晶體的電路符號如圖所示，當在順向主動區操作時，下列何者正確？
1. (A) 主要的射極電流為射極流向基極的擴散電子流，主要的基極電流為復合電流
2. (B) 主要的射極電流為射極流向基極的擴散電子流，主要的基極電流為基極流向射極的擴散電子流
3. (C) 主要的射極電流為射極流向基極的擴散電洞流，主要的基極電流為復合電流
4. (D) 主要的射極電流為射極流向基極的擴散電洞流，主要的基極電流為基極流向射極的擴散電子流
正解：(A)
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7下列何者不是理想運算放大器的特點？
1. (A) 輸入阻抗無窮大
2. (B) 僅有一個輸入端
3. (C) 輸出阻抗為零
4. (D) 電壓增益無窮大
正解：(B)
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8如圖所示場效電晶體電路， VP = −3 V ， IDSS = 18 mA ， VGS = −2 V ，直流工作電壓 VDS 為何？VDD = 10 VRD = 3 kΩRG = 1 MΩVGG = 2 V
1. (A) 2V
2. (B) 4V
3. (C) 6V
4. (D) 8V
正解：(B)
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9如圖所示，電晶體 Q1 和 Q2 的臨界電壓（threshold voltage）分別為 Vt1 和 Vt2，若 Vt2 變大且 Vt1 保持不變。 v I = VDD 時，則 v0 將如何變化？VDDQ2Q1v0vI
1. (A) 增大
2. (B) 降低
3. (C) 不變
4. (D) 等於 VDD
正解：(B)
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10運算放大器作為線性放大器使用，以負回授控制閉迴路電壓增益，下列敘述何者正確？
1. (A) 可用電阻作為負回授
2. (B) 可用電容作為負回授
3. (C) 可用二極體作為負回授
4. (D) 可用電晶體作為負回授
正解：(A)
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11如圖所示電路，若運算放大器開路電壓增益 A 為有限值，則 R i = vi / ii 為何？ii RfiiAviv0
1. (A) Rf /(1+A)
2. (B) Rf
3. (C) − Rf
4. (D) Rf /(1+1/A)
正解：(A)
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12有一 12 V 稽納二極體（Zener Diode），稽納電流若有 5 mA 的變動，稽納電壓就會產生 0.01 V 的改變，則在此電流範圍內的稽納阻抗為何？
1. (A) 10 Ω
2. (B) 5Ω
3. (C) 2Ω
4. (D) 1Ω
正解：(C)
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13如圖所示電路，輸入電壓 Vi 為直流時， V0 / Vi 為何？R2CR1ViV0
1. (A) − R2/R1
2. (B) 0
3. (C) 1+ R2/R1
4. (D) 無窮大
正解：(A)
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14如圖所示電路，若不考慮稽納二極體（Zener Diode）的電阻、且 VZ = 5 V ，則稽納二極體的消耗功率為何？100 Ω15 V VZ 200 Ω VL
1. (A) 350 mW
2. (B) 375 mW
3. (C) 400 mW
4. (D) 425 mW
正解：(B)
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15如圖所示電路，假設二極體導通電壓為 0.7 V，輸入電壓 Vin 為正弦波，頻率為 60 Hz，峰值電壓為110 V，電容輸入式整流濾波器之漣波因數（Ripple Factor）約為何？F 10：1D3 D1輸出VinC RLD2 D4 1000 μF 220 Ω
1. (A) 2.27%
2. (B) 4.54%
3. (C) 1.27%
4. (D) 1.12%
正解：(D)
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16某橋式整流與濾波電路需要直流電壓 18 V，流至負載 RL 之平均電流 100 mA，而容許 0.1 Vrms 的漣波電壓，其中輸入電壓源之頻率為 60 Hz，求所需濾波器之電容器的電容值約為何？
1. (A) 12 μF
2. (B) 48 μF
3. (C) 24 μF
4. (D) 36 μF
正解：(C)
17圖為全波兩倍倍壓電路，二極體視為理想，當輸入 Vin 進入下半負週期時，二極體（D1）之逆向峰值電壓（PIV）約為何？D1Vin + C1110 Vrms - R1C2D2
1. (A) 120 V
2. (B) 170 V
3. (C) 311 V
4. (D) 85 V
正解：(C)
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18典型的功率電晶體 2N3055，其金屬外殼為何？
1. (A) C極
2. (B) B極
3. (C) E極
4. (D) 空腳
正解：(A)
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19如圖為一截波電路， Vin = 30sin(ωt)V ，二極體導通時電壓為 0.7 V，下列何者為其輸出波形？RVoD+-Vin12 V12.7 V 30 VA. B.0V0V-12.7 V-30 V12.7 VC. D. 12.7 V 12.7 V0V0V-12.7 V
正解：(A)
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20如圖所示電路，若可忽略二極體 D 的導通電壓，且輸入電壓 vi = 7sin(377t)V ， R = 20 Ω ，下列敘述何者正確？D 3Vvi R vo
1. (A) 輸出電壓 vo 的最大值為 7 V
2. (B) 輸出電壓 vo 的最大值為 3 V
3. (C) 輸出電壓 vo 的最小值為 − 7 V
4. (D) 輸出電壓 vo 的最小值為 0 V
正解：(D)
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21如電路圖，下列敘述何者錯誤？CVs D1+ R-Vdc
1. (A) RC 時間常數無窮大時，可作為上箝位電路
2. (B) RC 時間常數無窮大時，Vdc 大小會影響到電容 C 的兩端電壓差
3. (C) RC 時間常數小於輸入波形之週期時，電容 C 的漣波電壓振幅不隨時間常數改變
4. (D) RC 時間常數小於輸入波形之週期時，電容 C 的跨壓 DC 值會隨時間常數改變
正解：(C)
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22有關波形之敘述，下列何者錯誤？
1. (A) 箝位器的主要目的是移除波形中的直流位準
2. (B) 二極體限位器（Limiter）會將某個位準以下或以上的電壓截掉
3. (C) 漣波電壓越小，則濾波的效果越好
4. (D) 較大濾波電容會減少漣波
正解：(A)
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23有一如圖之 BJT 放大器，若 BJT 之 VCE = 1 V ，則有關對其輸出迴路特性之敘述，下列何者錯誤？VCC = 10 VRC = 2 kΩ ICRB = 200 kΩVBB = 4 V VCEIB VBE
1. (A) 其電晶體輸出特性（ IC -VCE ）的直流負載線電流端截點為 IC = 5 mA
2. (B) 其電晶體輸出特性（ IC -VCE ）的直流負載線電壓端截點為 VCE = 1 V
3. (C) 其 C-E 迴路之靜態電流為 ICQ = 4.5 mA
4. (D) 此 BJT 應該是操作於主動區（active region）
正解：(B)
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24圖示電路中場效電晶體之 Vt = 1 V 、 μ n Cox (W/L) = 100 mA/V 2 ，若電晶體在飽和區工作，則電阻 R D 的最大值為何？+3 VRD
1. (A) 6 kΩ
2. (B) 5 kΩ
3. (C) 4 kΩ
4. (D) 3 kΩ
正解：(B)
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25圖示電路，下列何電阻提供直流偏壓的負回授？VCCRB1 RCRB2 RE
1. (A) RE
2. (B) RC
3. (C) R B1
4. (D) R B2
正解：(A)
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26如圖所示電路，已知空乏型 MOSFET 的 IDSS = 1 mA 、 VGS(TH) = −4 V ，若閘極電流 IG 可忽略不計，汲極電流與汲-源極電壓（ ID ， VDS ）值為何？VDD = +12 VID2 kΩ5 MΩIG DGS1 MΩ
1. (A) （1.5 mA，9 V）
2. (B) （2.25 mA，7.5 V）
3. (C) （3 mA，6 V）
4. (D) （3.5 mA，5 V）
正解：(B)
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27有關 JFET 之操作特性，下列敘述何者錯誤？
1. (A) JFET 發生通道長度調變時，通道有效長度會隨 VDS 的增加而略為變長，造成 ID 略為增加
2. (B) JFET 操作於三極體區（triode region）時，隨 VDS 的增加，通道深度變窄，通道電阻變大
3. (C) JFET 進入飽和區（saturation region）時，D 極附近的通道會夾止， ID 維持定值
4. (D) JFET 進入飽和區後，其 ID 與 VGS 會呈現非線性關係
正解：(A)
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28有關 MOSFET 的小信號模型，下列敘述何者錯誤？
1. (A) MOSFET 的小信號模型中包括一個相依電流源，表示 MOSFET 是屬於一種電流控制電流的元件
2. (B) 由 MOSFET 的小信號模型中可看出，由閘極看入之阻抗相當高
3. (C) 在 MOSFET 的小信號模型中，是以一電阻代表通道長度調變效應（channel length modulation effect）
4. (D) 為了 MOSFET 的小信號能進行線性放大，必須滿足 vgs << 2 VOV （overdrive voltage）的條件
正解：(A)
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29場效電晶體在飽和區（saturation region）的有限輸出阻抗是由於下列何種效應？
1. (A) 稽納效應（Zener effect）
2. (B) 通道長度調變效應（Channel length modulation effect）
3. (C) 本體效應（Body effect）
4. (D) 密勒效應（Miller effect）
正解：(B)
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30圖中放大器電路中， vsig 的直流成分為零，電晶體的 β = 99 、 VA = ∞ 、 VEB = 0.7 V ，熱電壓VT = 0.025 V ，放大器電壓增益 vo / vsig 的最接近值為何？+5 V4 kΩ∞ vo30 kΩ4 kΩvsig-5 V
1. (A) 0.75
2. (B) 0.85
3. (C) 0.95
4. (D) 0.99
正解：(B)
31圖中放大器電路中， vsig 的直流成分為零，電晶體的 β = 99 、 VA = ∞ 、 VEB = 0.7 V ，熱電壓VT = 0.025 V ，放大器輸出電阻 R out 的最接近值為何？+5 VRout4 kΩ∞ vo30 kΩ4 kΩvsig-5 V
1. (A) 100 Ω
2. (B) 150 Ω
3. (C) 200 Ω
4. (D) 300 Ω
正解：(D)
32相較於共汲極（CD）放大器，下列有關共源極（CS）放大器之特性，何者正確？
1. (A) 電壓增益較大
2. (B) 頻率響應較佳
3. (C) 輸出阻抗較小
4. (D) 常應用於緩衝放大器
正解：(A)
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33已知 Q1 之 β1 = 100 ， rπ1 = 2.34 kΩ ， Q 2 之 β2 = 100 ， rπ2 = 2.06 kΩ ，則該電路之電壓增益約為何？+10 V2 kΩ 4 kΩCC380 kΩ 85 kΩ VoCC2Vi Q1 Q2CC1 4 kΩ15 kΩ20 kΩ1 kΩ CE1 500 Ω CE2
1. (A) − 8290
2. (B) − 3899
3. (C) 3899
4. (D) 8290
正解：(C)
34如圖， Q1 的 β1 = 50 ， Q 2 的 β2 = 100 ，兩個電晶體的 VBE = 0.7 V 且 ro 都不計，熱電壓（thermal voltage）VT 都是 25 mV；若輸出接一電阻 R L = 1 kΩ ，求電壓增益 vo /vB2 約為何？VCC = 5 V1 MΩvi C→∞ IB1Q1 β1 = 50IB2Ri VB2 Q2 β2 = 1001 MΩC→∞ vo50 μA5 mA
1. (A) 1.005 V/V
2. (B) 0.850 V/V
3. (C) 0.900 V/V
4. (D) 0.995 V/V
正解：(D)
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35圖示變壓器耦合串級放大器中， N1 ： N 2 = 2 ：1、 N 3 ： N 4 = 5 ：1， A v1 = 100 、 A v2 = 50 、 A v3 = 20 ，此電路之總電壓增益為何？N1：N2 N3：N4Vi Av1 Av2 Av3 Vo
1. (A) 60 dB
2. (B) 80 dB
3. (C) 100 dB
4. (D) 120 dB
正解：(B)
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36有一放大器其上 3 dB 截止頻率為 fH = 50 MHz ，且在中頻段的電壓增益為 10 V/V，求其單一增益頻寬 fT 為多少？
1. (A) 5 MHz
2. (B) 50 MHz
3. (C) 500 MHz
4. (D) 600 MHz
正解：(C)
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37如下圖所示，下列敘述何者錯誤？R2R1VoC RR C
1. (A) 此為韋恩電橋振盪電路
2. (B) 可以應用於產生弦波訊號
3. (C) 可以藉由 R 和 C 的組合調整輸出訊號的頻率
4. (D) 可以藉由 R1 和 R 2 的組合調整輸出訊號的振幅
正解：(D)
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38如圖為電晶體單穩態多諧振盪器，觸發信號由 Q1 的基極注入。在未觸發前，電容器 C1 上的電壓 E o 約為下列何者？+VCCRC1 RBC1 RC2VC1 + -VC2EoR1 Q2VB2Q1 VB1R2D-VBB
1. (A) VCC
2. (B) VCC − VB2
3. (C) VCC − VRC1 − VB2
4. (D) VCC − VRB − VC1
正解：(B)
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39圖示為一施加負偏壓之反相施密特觸發器，OPA 之輸出飽和電壓為 ± 10 V，若其遲滯電壓（hysteresisvoltage） VH 為 4 V，則該電路之 R1 電阻值為何？VCCVsVoVCCVR = − 2.5 VR1 20 kΩ
1. (A) 5 kΩ
2. (B) 10 kΩ
3. (C) 20 kΩ
4. (D) 80 kΩ
正解：(A)
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40關於 555 計時器之敘述，下列何者錯誤？
1. (A) 其內部的 RS 正反器為雙穩態的輸出
2. (B) 可以實現無穩態多諧振盪電路
3. (C) 可以實現單穩態多諧振盪電路
4. (D) 單穩態模式下的輸出脈波可以藉由電源電壓的大小調整其寬度
正解：(D)
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題目與標準答案來源：考選部考畢試題查詢平臺（政府資訊公開資料）。最後更新：2026-10-04。

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