初等考試　111 年初等考試電子學大意　考古題與詳解

本卷共 40 題，其中 37 題附有本站自撰的逐題詳解。題目與標準答案取自考選部「考畢試題查詢平臺」的公開資料；詳解由本站撰寫並標註出處。本頁列出全部題目與標準答案，並免費試讀前 3 題的詳解；其餘詳解在線上作答時逐題顯示。

▶ 線上作答這一卷（40 題，建議 60 分鐘）

1某增強型 NMOS 場效電晶體的 Vt = 1 V、μnCox(W/L) = 50 μA/V2，今若其電壓 VGS = 2 V，則其轉導 gm（Transconductance）為若干 μA/V?
1. (A) 25
2. (B) 50
3. (C) 100
4. (D) 200
正解：(B)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (B) 飽和區的轉導 gm＝μnCox(W/L)×(VGS−Vt)＝50×(2−1)＝50 μA/V。
❌ (A) 25 是把過驅動電壓取一半的誤算。
❌ (C) 100 是把過驅動電壓誤當成 2 V。
❌ (D) 200 與各參數代入結果不符。
📚 出處：電子學——增強型場效電晶體的轉導
2有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 VI1、VI2 的電壓波形如下所示，V CC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω，CL = 5 μF，電晶體電流增益 βQ1 = βQ2 = 100。試研判輸出接腳 VO 在低準位輸出（VO@LO）時最可能的工作電壓：VI1VI2
1. (A) VO @ LO < 0 V
2. (B) VO @ LO = 0 V
3. (C) 0.4 V > VO @ LO > 0 V
4. (D) VO @ LO > 0.4 V
正解：(C)
3對於一個 PN 接面二極體在逆偏（reverse bias）的條件下，下列何者正確？
1. (A) 外部電壓之正端接於 P 側，負端接於 N 側
2. (B) P 側的電子將會流向 N 側，N 側的電洞則流向 P 側
3. (C) 當逆偏壓加大時，因空乏區（depletion region）擴大而導致電容也變大
4. (D) 接面空乏區內電場的方向為由 P 側指向 N 側
正解：(B)
逐題詳解（免費試讀）
✅ (B) 逆偏時流動的是少數載子：P 側的電子漂移到 N 側、N 側的電洞漂移到 P 側，形成逆向飽和電流。
❌ (A) 逆偏是正端接 N 側、負端接 P 側，本選項描述的是順偏。
❌ (C) 逆偏加大使空乏區變寬，接面電容反而變小。
❌ (D) 空乏區內建電場方向是由 N 側指向 P 側。
📚 出處：電子學——PN 接面的逆向偏壓特性
4如圖所示之電路，OP AMP 為理想。求 vid/i：kRi R-vid +- vo+RR
1. (A) R
2. (B) 2R
3. (C) (k+1)R
4. (D) (k+3)R
正解：(B)
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5如圖所示為一 NMOS 構成的放大器。VDD = 3 V，電晶體之小信號 μnCox = 200 μA/V 2，W/L = 10，Vt = 0.5 V。電流源非完全理想，有一值為 20 kΩ 的內阻。求小信號增益 vo/vi：VDDI = 1 mA1 MΩvoC=∞viC=∞
1. (A) -20
2. (B) -40
3. (C) -100
4. (D) -1000
正解：(B)
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6雙極性電晶體接成共集極組態時，其輸出阻抗相較於共射極和共基極組態的輸出阻抗為何？
1. (A) 最低
2. (B) 最高
3. (C) 次高
4. (D) 一樣
正解：(A)
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7下列何種矽電晶體具有常閉型通道？
1. (A) PN 接面型場效電晶體
2. (B) MOS 增強型場效電晶體
3. (C) MOS 空乏型場效電晶體
4. (D) 雙極性接面電晶體
正解：(B)
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8有一半波整流器的輸入電壓峰值為 10 V，則其輸出電壓的峰值大約為：
1. (A) 10.7 V
2. (B) 9.3 V
3. (C) 5 V
4. (D) 3.2 V
正解：(B)
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9有一增益為 A = 10000，單極頻率（single pole frequency）為 105 rad/s 之放大器，將其置入回饋因素（feedback factor）f = 0.01 的回饋迴路，設回饋過程不影響此放大器的開迴路增益（open loop gain），則此放大器之開迴路單一增益頻率（unit gain frequency）為：
1. (A) 109 rad/s
2. (B) 105 rad/s
3. (C) 103 rad/s
4. (D) 102 rad/s
正解：(A)
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10如圖所示電路為一階主動低通濾波器，若 Ri = 20 kΩ， Rf = 200 kΩ，R1 = 1.5 kΩ，C1 = 0.02 μF，則此電路的截止頻率 fCH 為多少？
1. (A) 5.3 GHz
2. (B) 5.3 MHz
3. (C) 5.3 kHz
4. (D) 5.3 Hz
正解：(C)
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11有一 N 通道接面場效電晶體（JFET）的夾止電壓 VP = - 4 V，且源極電壓 VS = 0 V，則下列那一個條件可使此 JFET 工作於飽和區？
1. (A) VG = - 5 V, VD = 1 V
2. (B) VG = - 2 V, VD = 1 V
3. (C) VG = 0 V, VD = 0 V
4. (D) VG = 0 V, VD = 5 V
正解：(D)
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12關於 BJT 電晶體之敘述，下列何者正確？
1. (A) 電晶體操作在飽和（saturation）區時之轉導值（transconductance）較操作於順向主動區（forwardactive region）時為大
2. (B) 電晶體操作在飽和區時之輸出阻抗 ro 較操作於順向主動區時為大
3. (C) 操作於放大器模式時，基集極接面應避免順向偏壓
4. (D) 電晶體操作在截止（cutoff）區時，基射極接面必為順向偏壓
正解：(C)
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13橋式全波整流電路的輸入信號：vi(t) = 18sin（377t）伏特。其輸出信號之頻率為何？
1. (A) 60 Hz
2. (B) 120 Hz
3. (C) 377 Hz
4. (D) 754 Hz
正解：(B)
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14下圖電路中二極體 D1 之導通電壓為 0.7 V，導通電阻為 0 Ω。電阻值 R = 10 Ω。若 vi (t) = 3 sin 10t伏特。則 vo (t)的最小值為何？vi vo
1. (A) 4 V
2. (B) 2 V
3. (C) -2 V
4. (D) -2.7 V
正解：(C)
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15下圖中二極體 D1 與 D2 之導通電壓為 0.7 V，導通電阻為 0 Ω，輸入信號為弦波，vi (t) = 4 sin 10t 伏特，R1，R2，R3 皆為 10 Ω，則電流 | i | 之最大值為何？i
1. (A) 530 mA
2. (B) 265 mA
3. (C) 65 mA
4. (D) 20 mA
正解：(C)
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16如圖所示之電路，假設二極體之壓降為 0.7 V，則二極體 D2 之逆向峰值電壓（PIV）為何？
1. (A) 20 V
2. (B) 39.3 V
3. (C) 41.4V
4. (D) 60.7 V
正解：(B)
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17若 P-N 接面二極體之導通電壓為 0.7 V，且導通電阻值為 0 Ω，若 Vi ＝ + 5 V，關於下列電路之敘述，何者正確？
1. (A) X 點電壓＝5 V
2. (B) D2 電流為 2.15 mA
3. (C) Z 點電壓為 4.3 V
4. (D) Y 點電壓為 0 V
正解：(B)
18如圖所示理想二極體電路，下列何者為其電壓轉移特性？（其中 m 表斜率）A. = B.=C. D. ==
正解：(C)
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19如圖所示之電路，假設二極體為理想，試求輸出電壓之最大正值為何？
1. (A) 1 V
2. (B) 4 V
3. (C) 7 V
4. (D) 10 V
正解：(C)
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20如圖電路，設二極體均為理想二極體，R = 10 kΩ，R1 = R2 = 5 kΩ，V1 = V2 = 5 V。當 vI = 8 V 時，vO為多大？
1. (A) 0
2. (B) 3 V
3. (C) 6 V
4. (D) 8 V
正解：(C)
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21圖示理想二極體電路，下列何者為其電壓轉移特性？（其中 m 表斜率）A. B.C. D.
正解：(B)
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22電路上某 npn 雙極性接面電晶體（BJT）工作在飽和區（Saturation Region），已知電路之電源電壓為 8 V，下列何者正確？VCC = 8 VRCVCBVCEVBE
1. (A) VCE = 0.2 V
2. (B) VCE = 8 V
3. (C) VCB = 0.7 V
4. (D) VCB = 2.1 V
正解：(A)
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23某 β = 100 之 npn 雙極性接面電晶體，若 IB = 10 μA，下列何者顯示電晶體工作在飽和區（SaturationRegion）？
1. (A) IC = 1 mA、IE = 1.01 mA
2. (B) IC = 0.5 mA、IE = 0.51 mA
3. (C) IC = 1.01 mA、IE = 1 mA
4. (D) IC = 0.8 mA、IE = 0.79 mA
正解：(B)
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24假設電晶體操作於飽和區，如圖所示共閘極放大器之增益（vo/vi）為何？電晶體之 μnCox = 500 μA/V2，W/L = 100，VTH = 0.6 V，VGS = 0.8 V。
1. (A) 20
2. (B) 30
3. (C) 40
4. (D) 50
正解：(A)
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25於積體電路設計中使用主動負載的放大器，相對於使用被動負載，其好處不包含下列何者？
1. (A) 面積較小
2. (B) 可同時當成電流源偏壓
3. (C) 負載上的壓降較小
4. (D) 頻寬增加
正解：(D)
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26下列何種放大器組態有較顯著的米勒效應？
1. (A) 共閘極放大器
2. (B) 共集極放大器
3. (C) 共基極放大器
4. (D) 共源極放大器
正解：(D)
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27雙極性電晶體（BJT）若工作在截止區時：
1. (A) 基射極接面、基集極接面都順偏
2. (B) 基射極接面順偏、基集極接面逆偏
3. (C) 基射極接面逆偏、基集極接面順偏
4. (D) 基射極接面、基集極接面都逆偏
正解：(D)
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28矽雙極性電晶體（BJT）工作在飽和區模式時，其基射極之間的電位差約為：
1. (A) 0.2 V
2. (B) 0.3 V
3. (C) 0.7 V
4. (D) 1 V
正解：(C)
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29關於雙載子電晶體（BJT）的小信號模型，下列敘述何者錯誤？B C+vπ rπ gm v π ro－E
1. (A) 在特定 β 的條件下，rπ 與偏壓電流成正比
2. (B) 在特定 β 的條件下，gm 與偏壓電流成正比
3. (C) 在特定元件大小的條件下，ro 與偏壓電流成反比
4. (D) 對共射級放大器而言，rπ 越大則輸入阻抗越大
正解：(A)
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30圖示為一種採用集極回授偏壓電路的電晶體共射極放大器，輸出電壓（vo）正半週的最大擺幅恰為 5 V 時，電阻 R 約為多少？電晶體基-射極的導通定電壓固定為 0.8 V。
1. (A) 64 kΩ
2. (B) 100 kΩ
3. (C) 128 kΩ
4. (D) 210 kΩ
正解：(C)
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31如圖採用分壓偏壓電路的電晶體放大電路中，在集極端直接耦接有一 3.5 kΩ 的負載，電晶體基-射極的導通定電壓為 0.8 V 下，求該電晶體於集極端的電壓約為多少？
1. (A) 9 V
2. (B) 7 V
3. (C) 5 V
4. (D) 4 V
正解：(B)
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32圖示 PMOS 場效電晶體電路，電晶體之 Vt ＝ -0.5 V，若 RG1 ＝ 3 MΩ、RG2 ＝ 2 MΩ、VDD ＝ 5 V，欲電晶體在飽和區工作，電壓 VD 的最大值應為若干伏特？
1. (A) 4 V
2. (B) 3.5 V
3. (C) 2.5 V
4. (D) 2 V
正解：(C)
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33如圖所示的方波產生電路在正常工作下並於某個時間點測知 Vf 的電壓值為 8 伏特，此電路中流過電阻器 R 的電流絕對值取其最大與最小值分別以 I1 和 I2（單位 mA）表示之，則下列那一敘述為正確？其中施加於理想 OPA 之電壓為 ± 16 V。OPA
1. (A) I1 = 8 mA
2. (B) I2 = 4 mA
3. (C) I1+I2 = 8 mA
4. (D) I1-I2 = 2 mA
正解：(C)
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34有關運算放大器的應用，下列電路何者使用負回授電路？
1. (A) 比較器
2. (B) 史密特觸發電路（Schmitt trigger）
3. (C) 無穩態電路（Astable）
4. (D) 電壓隨耦器s
正解：(D)
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35某電路之轉移函數： T ( s ) = 10 ，當角頻率為 10 rad/sec 時，相角為何？s + 10
1. (A) -90°
2. (B) -45°
3. (C) 45°
4. (D) 90°
正解：(C)
36圖示 MOS 電路，vi 為輸入電壓，vo 為輸出電壓，本電路主要作用為何？IREF
1. (A) 調諧放大
2. (B) 高通放大
3. (C) 差動放大
4. (D) 峰值偵測
正解：(C)
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37圖示為理想運算放大器組成的電路，運算放大器的輸出飽和電壓為 ± 12 V，R1 = 10 kΩ、R2 = 40 kΩ，輸出電壓 vO 原為 -12 V，輸入電壓 vI 為下列何電位時，輸出 vO 將為 + 12 V？R1 R2+－ vO+vI －
1. (A) -3 V
2. (B) -2 V
3. (C) 2 V
4. (D) 3 V
正解：(A)
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38有關圖示電路中各節點電壓的波形敘述，下列何者正確？R2R1v3 + v1－v2RC
1. (A) v1 為弦波
2. (B) v2 為方波
3. (C) v3 近似為三角波
4. (D) v3 的振幅較 v1 為小
正解：(D)
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39如圖電路，已知輸出 vo 的飽和電壓在±10 V，其 R1 = 100 kΩ，R2 = 1 MΩ；若在電容器 C 旁邊並接一顆二極體，其順向電壓為 0.7 V，則輸出電壓 vo 會在什麼狀態？v＋v—
1. (A) 保持在 -0.7 V
2. (B) 保持在 -10 V
3. (C) 保持在 + 10 V
4. (D) 保持在 ± 10 V 之間變化
正解：(B)
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40如圖二階低通濾波電路，欲實現具有最大平坦度且 3 dB 頻率為 7.07 × 10 rad/s，當電阻 R 為 5 kΩ 時，所需的電容 C 值為何？
1. (A) 100 pF
2. (B) 200 pF
3. (C) 500 pF
4. (D) 707 pF
正解：(B)
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