初等考試　102 年 初等考試 電子學大意　考古題與詳解

本卷共 40 題，其中 38 題附有本站自撰的逐題詳解。題目與標準答案取自考選部「考畢試題查詢平臺」的公開資料；詳解由本站撰寫並標註出處。本頁列出全部題目與標準答案，並免費試讀前 3 題的詳解；其餘詳解在線上作答時逐題顯示。

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1. 1如圖所示之電路， va = 100 sin ω t V ， vb = 100 sin(ω t − 120°) V ， vc = 100 sin(ω t − 240°) V ，求其平均輸出電壓為何？va

   

   1. (A) 82.7 V
   2. (B) 92.7 V vb
   3. (C) 102.7 V vc +R ｖo
   4. (D) 112.7 V-

   正解：(A)

   逐題詳解（免費試讀）

   ✅ (A) 三個二極體的陽極分別接 va、vb、vc，陰極共接於負載 R，屬「三相半波整流」。任一瞬間只有電壓最高的那一相導通，輸出波形是三相正弦波的上包絡線，每 120° 重複一次。平均值 Vdc =(3√3/2π)·Vm = 0.827×100 ≒ 82.7 V。

   ❌ (B) 92.7 V 不對應任何整流電路的係數；三相半波的係數固定為 0.827，不會到 0.927。

   ❌ (C) 102.7 V 已超過峰值的 100%，而平均值必定小於峰值 100 V，不可能成立。

   ❌ (D) 112.7 V 同樣大於峰值 100 V，違反「平均值 ≤ 峰值」的基本限制。

   📚 出處：電子學．二極體整流電路．三相半波整流之平均輸出電壓 Vdc=(3√3/2π)Vm

2. 2以下關於 CMOS 傳輸閘的描述，何者正確？

   1. (A) NMOS 的基體與外部電壓正值相連
   2. (B) PMOS 的基體與外部電壓負值相連
   3. (C) PMOS 和 NMOS 上的閘極控制電壓互補
   4. (D) 傳輸閘導通時輸入和輸出互補

   正解：(C)

   逐題詳解（免費試讀）

   ✅ (C) 傳輸閘是 NMOS 與 PMOS 並聯而成，兩者閘極必須接互補的控制訊號（NMOS 接 C、PMOS 接 C̄），才能同時導通或同時截止，達到全電壓範圍的雙向傳導。

   ❌ (A) NMOS 的基體（body）應接電路最低電位（負端或接地），接正值會使基體與源極／汲極的 PN 接面順偏。

   ❌ (B) PMOS 的基體應接最高電位（VDD），接負值同樣會造成接面順偏而失效。

   ❌ (D) 傳輸閘導通時輸出等於輸入（類比開關），並非互補；輸出與輸入互補是反相器的行為。

   📚 出處：數位電子學．CMOS 傳輸閘（Transmission Gate）

3. 3一 DRAM 單元上使用 30 fF 的電容，在 6 ms 時間之內需更新一次。若電容上可容許 1 V 的信號損失，則此單元中最大可容忍的漏電流約為多少？

   1. (A) 1 pA
   2. (B) 2 pA
   3. (C) 5 pA
   4. (D) 10 pA

   正解：(C)

   逐題詳解（免費試讀）

   ✅ (C) 由 I = C·ΔV/Δt，I = 30 fF × 1 V ÷ 6 ms = 30×10⁻¹⁵ ÷ 6×10⁻³ = 5×10⁻¹² A = 5 pA。漏電流只要不超過 5 pA，6 ms 內的壓降就不會超過 1 V。

   ❌ (A) 1 pA 在 6 ms 內只使電容掉 0.2 V，遠未用到 1 V 的容許量，不是「最大」可容忍值。

   ❌ (B) 2 pA 只造成約 0.4 V 壓降，同樣偏保守。

   ❌ (D) 10 pA 在 6 ms 內會使電容掉 2 V，資料在更新之前就已經流失。

   📚 出處：記憶體．DRAM 更新（Refresh）週期與 I = C·dV/dt

4. 4下列有兩放大器應用電路，U1 與U2 為理想運算放大器，輸出電壓侷限在-10 V到+10 V之間，電阻R1、R2、R3、R4均相等，若輸入電壓Vi1 及Vi2 為 2 sin(ωt)V之正弦波，試研判Vo1 與Vo2 之輸出響應。R2 R4R1 R3- U1 IO2 +U23 IO22 2+ 3 Vo1 - Vo2IO1 1 IO1+ +Vi1 ～- V1Vi2 ～- V1

   1. (A) Vo1 為-/+10 V、Vo2＝4 sin(ωt)V
   2. (B) Vo1＝4 sin(ωt)V、Vo2 為-/+10 V
   3. (C) Vo1、Vo2 均為-/+10 V
   4. (D) Vo1、Vo2 均為 4 sin(ωt)V

   正解：(B)

5. 5圖示理想運算放大器電路，若 R1 = 3 kΩ 、 R2 = 7 kΩ 、 Ra = 1 kΩ 、 R f = 19 kΩ ， v1 = 1 V ， v2 = −1 V ，則輸出電壓 vO 為若干 V？

   

   1. (A) 0Rf
   2. (B) 4 Ra-
   3. (C) 8+ vO
   4. (D) 10 R1v1R2v2

   正解：(C)

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6. 6如圖所示之MOS電路，Q1、Q2為P通道增強型MOSFET，Q3、Q4為N通道增強型MOSFET。此電路為VCC何種邏輯閘？

   

   1. (A) OR 閘A
   2. (B) NOR 閘 Q1
   3. (C) AND 閘
   4. (D) NAND 閘 BQ2YQ4 Q3

   正解：(B)

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7. 7圖中以G1及G2兩個NOR閘組成RS型正反器（Flip-Flop），下列何者為其正確的反應？

   1. (A) R = 0, S = 0 , Q = 0 R QG1
   2. (B) R = 1, S = 0 , Q = 0
   3. (C) R = 0, S =1, Q = 0
   4. (D) R = 1, S = 1 , Q = 1G2 QS

   正解：(B)

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8. 8圖 中 電 路 ， 假 設 VIN = 0 ， VG = VDD ， VD D = 5 V ， C = 100 f F 。 當 VO = VDD ， I D = 850 μA 。 當VO = VDD / 2 ， I D = 150 μA 。則此電路的 VO 從 VDD 降至 VDD / 2 所需要的時間約為：

   1. (A) 1 ns VG
   2. (B) 0.5 ns
   3. (C) 0.25 nsVIN VO
   4. (D) 0.1 nsC

   正解：(B)

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9. 9由理想運算放大器組成的電路，如圖所示。若輸入信號的頻率為 1 /( 2 πRC ) ，則電壓增益 VO / VIN 的相位角度（Phase Angle）為：R

   1. (A) 90 度
   2. (B) 45 度R
   3. (C) -45 度 -
   4. (D) -90 度 VOVIN+CR

   正解：(A)

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10. 10如圖所示電路，稽納（Zener）二極體之限電壓為 Vz = 5 V ，當電阻值 R1 = 2 kΩ ， R2 = 3 kΩ ， R3 = 6 kΩ ，輸出電壓 Vo 為：10V R3

    

    1. (A) +10 V
    2. (B) -10 VR1 +15V
    3. (C) +12 VR2
    4. (D) -12 V -VoVz +-15V

    正解：(B)

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11. 11下列何者屬揮發性記憶體？

    1. (A) Flash
    2. (B) Mask ROM
    3. (C) DRAM
    4. (D) E2PROM

    正解：(C)

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12. 12對於理想電壓放大器（Voltage Amplifier）特性之敘述，下列何者正確？

    1. (A) 輸入阻抗為 0
    2. (B) 輸出阻抗為 0
    3. (C) 輸出阻抗無限大
    4. (D) 輸出阻抗與電流放大器特性相同

    正解：(B)

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13. 13對一般雙極性電晶體而言，如果 β 值要大，電晶體的選擇是：

    1. (A) NPN 電晶體，基極寬度要大
    2. (B) NPN 電晶體，基極寬度要小
    3. (C) PNP 電晶體，基極寬度要大
    4. (D) NPN 電晶體，基極寬度與 β 值無關

    正解：(B)

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14. 14增強型 MOSFET 的導通通道如何形成？

    1. (A) 基板（Substrate）表面的多數載體因電場作用形成
    2. (B) 基板表面的少數載體因電場作用形成
    3. (C) 以擴散技術在基板表面形成
    4. (D) 以離子植入在基板表面形成

    正解：(B)

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15. 15所謂的本質（Intrinsic）半導體是指：

    1. (A) 只有受體（Acceptors）加入
    2. (B) 除晶體原子外，沒有摻雜其他雜質
    3. (C) 只有施體（Donors）加入
    4. (D) 導電率接近導體的晶體材料

    正解：(B)

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16. 16如圖所示，不可能表達何種元件？

    

    1. (A) 光遮斷器
    2. (B) 光電晶體
    3. (C) 光耦合器
    4. (D) 光伏特電池（Photovoltaic Cell）

    正解：(D)

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17. 17如圖所示，二極體的導通電壓為 0.7 V，順向電阻為 100 Ω，則當 V1 = 0 V 、 V2 = 5 V 時， Vo 之電壓約為： 5V

    

    1. (A) 1 V
    2. (B) 2 V 20kΩ1kΩ
    3. (C) 3 V V1
    4. (D) 4 V1kΩV2 Vo

    正解：(A)

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18. 18下列雪崩型感光二極體（APD）的特性及應用敘述，那一個錯誤？

    1. (A) 它是操作在足夠大的逆向偏壓下
    2. (B) 照光很容易產生雪崩倍增，讓電流增益變大
    3. (C) 它的 PN 接面設計一般會非常遠離光照表面
    4. (D) 元件對光的調變響應可高至微波範圍

    正解：(C)

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19. 19如圖所示的電源供應器，若輸入電源為 120 VAC，60 Hz，橋式整流後的濾波電容為 20,000 μF，則在50 Ω 負載端的漣波約為：

    1. (A) 0.1 V
    2. (B) 1 V
    3. (C) 1.5 V 120V
    4. (D) 2 V 60Hz ～50Ω20,000μF

    正解：(B)

20. 20如圖電路中運算放大器為理想者，且其輸出之最大值為 5 V ，最小值為 − 5 V ，二極體之導通電壓為0.7 V ，若 Vi = −1 V ，則 Vo 值為何？

    

    1. (A) 0 V
    2. (B) 0.7 V1kΩ
    3. (C) 5 V Vi -
    4. (D) -5 V Vo+

    正解：(B)

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21. 21雙極性接面電晶體之共基極電流增益 α = 0.99 ，其共射極電流增益 β 等於：

    1. (A) 99
    2. (B) 119
    3. (C) 199
    4. (D) 200

    正解：(A)

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22. 22順向偏壓二極體的小訊號電阻 rd ，與通過二極體的直流電流 I D ，兩者的關係為：

    1. (A) rd ∝ I D
    2. (B) rd ∝ I D
    3. (C) rd ∝ 1 / I D
    4. (D) 兩者間無關聯

    正解：(C)

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23. 23射極隨耦器（Emitter Follower）常作阻抗匹配之用，有關其輸入端與輸出端的阻抗敘述，下列何者正確？

    1. (A) 高輸入阻抗，高輸出阻抗
    2. (B) 高輸入阻抗，低輸出阻抗
    3. (C) 低輸入阻抗，高輸出阻抗
    4. (D) 低輸入阻抗，低輸出阻抗

    正解：(B)

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24. 24在高頻的共射極電晶體電路中， C be 及 C bc 分別為 B 與 E 及 B 與 C 間之極際電容，下列敘述何者正確？

    1. (A) C bc 為回饋電容，米勒效應（Miller effect）使輸入電容加大
    2. (B) C be 為回饋電容，米勒效應使輸入電容加大
    3. (C) 米勒電容與 C be 及 C bc 無關
    4. (D) 米勒電容與電壓放大率 A V 無關

    正解：(A)

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25. 25圖 a 為無負載的放大器電路，圖 b 為有負載電阻 RL 的放大器電路，圖 c 為有電源電阻 RS 及負載電阻RL 的放大器電路。圖 a、圖 b 及圖 c 的電壓增益分別為 Ava , Avb 及 Avc 。三個圖中的電壓增益由大到小順序為：VCC VCC VCCRB RC RB RC RB RCBVo BVo BVoVi Vi RSViRL RL圖a 圖b 圖c

    1. (A) Ava > Av > Avcb
    2. (B) Avb > Avc > Ava
    3. (C) Avc > Ava > Avb
    4. (D) Ava = Av = Avcb

    正解：(A)

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26. 26一個 N 通道增強型場效電晶體的汲極電流不為零，則其 VGS 的值為：

    1. (A) 負值
    2. (B) 零
    3. (C) 正值
    4. (D) 正、負皆可

    正解：(C)

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27. 27圖中電路 VD = 12 V 而 VGS = −2 V ，則其 RS 為：

    1. (A) 1.35 kΩ 16V
    2. (B) 2.82 kΩ1.8kΩ
    3. (C) 3.36 kΩ 91kΩ
    4. (D) 5.10 kΩ 12V+VGS-47kΩRS

    正解：(C)

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28. 28如圖所示之雙極性接面電晶體（BJT）放大器，已知電晶體參數 β (= I c / I b ) 為 100，不考慮電晶體集極到射極的交流輸出阻抗 ro 的影響，則此放大器的輸入阻抗 Z i (= Vi / I i ) 約為多少？

    1. (A) 2.2 kΩ +15V
    2. (B) 110 kΩ220kΩ
    3. (C) 220 kΩ
    4. (D) 300 kΩViIiVoZi 2.2kΩ

    正解：(B)

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29. 29如圖共基極偏壓電路中，求出 I EQ 與 VCEQ 值。

    1. (A) I EQ = 3.50 mA ， VCEQ = 4.50 Vβ = 60
    2. (B) I EQ = 2.50 mA ， VCEQ = 3.50 Vvi vo
    3. (C) I EQ = 2.75 mA ， VCEQ = 4.10 V
    4. (D) I EQ = 5.50 mA ， VCEQ = 6.50 V RE 1.2kΩ RC 2.4kΩ- +VEE 4V VCC 10V+ -

    正解：(C)

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30. 30圖中振盪器之振盪頻率約為何？

    

    1. (A) 10 × 1010 rad/sec
    2. (B) 1010 rad/sec
    3. (C) 10 × 10 9 rad/sec
    4. (D) 109 rad/sec 1nH2pF 2pF

    正解：(A)

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31. 31雙極性電晶體（BJT）的爾利效應（Early effect），是指：

    1. (A) VBE 隨溫度變化的現象
    2. (B) I C 隨溫度變化的現象
    3. (C) I C 隨 VBC 逆偏壓改變的現象
    4. (D) I C 隨 VBE 偏壓改變的現象

    正解：(C)

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32. 32如圖 a 所示為具有信號源電阻 Rs 和負載電阻 RL 的放大器電路，設 re = 5.6 Ω ， β = 100 ， ro = ∞Ω 。圖 b為在 390 kΩ >> 10β re 條件下的交流等效電路，其中 Rs = 280 Ω，RL = 4.7 kΩ，則電壓增益 Av (= Vo / Vs )約為： 24V2.3kΩ390kΩ+Rs IbRs Ii b Ib c+RL + Io +Vs βre βIb 2.3kΩ RL VoVi 1.1kΩ CE Vo Vs Vi- - - -圖a 圖b

    1. (A) -257
    2. (B) -183
    3. (C) -2.75
    4. (D) -1

    正解：(B)

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33. 33參考圖中增強型 MOSFET 的偏壓電路，選擇正確的工作特性圖： ＿＿＿ VDD

    

    1. (A) RDR1DIG=0A
    2. (B) VGG+ VGS - S
    3. (C) R2RSVG
    4. (D) ID

    正解：(D)

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34. 34多級放大器的最後一級，因電路與負載之阻抗匹配，常使用何種放大器組態？

    1. (A) 共射極（Common Emitter）
    2. (B) 共基極（Common Base）
    3. (C) 共集極（Common Collector）
    4. (D) 共閘極（Common Gate）

    正解：(C)

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35. 35如圖所示電路，電晶體 Q1 與 Q2 有相同特性，若 VCC = 20 V ，VEE = −10 V ，電阻 R1 = R2 = R3 = 5 kΩ ，V1 = V2 = 0 V ，輸出電壓 Vo 約為何值？

    1. (A) 20 V VCC
    2. (B) 15 V
    3. (C) 10 VR1 R2
    4. (D) 5 VVOV1 Q1 Q2 V2R3VEE

    正解：(B)

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36. 36圖為疊接放大器（Cascode Amplifier），關於其中電晶體 Q2 的作用，下列敘述何者錯誤？

    1. (A) 降低米勒效應 VCC
    2. (B) 增加放大器頻寬
    3. (C) 增加輸出阻抗RC
    4. (D) 降低 VCC 電壓VoVB B Q2Vin Q1

    正解：(D)

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37. 37有關圖中電路之敘述，下列何者正確？R2Vi -VoR1 C +

    

    1. (A) 此為低通濾波器
    2. (B) 此為高通濾波器R1
    3. (C) 其高頻增益為 −
    4. (D) C 越大則低頻 − 3 dB 頻率越高R2

    正解：(B)

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38. 38如圖所示電路，若 R1 = R2 = 1 kΩ ， R3 = R5 = 2 kΩ ， R4 = R6 = 3 kΩ ， C1 = 0.05 μF ， C2 = 0.15 μF ，則輸入訊號為下列何種頻率之弦波時不會被截止？R5 R6R3 R4-- C2 VoR1 +Vi +R2C1

    1. (A) 200 Hz
    2. (B) 2 kHz
    3. (C) 20 kHz
    4. (D) 200 kHz

    正解：(B)

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39. 39如圖所示電路，為兩級串接直接耦合放大器電路，其中 R1 = 200 kΩ ， R2 = R3 = 3 kΩ ， R4 = R5 = 2 kΩ ，電晶體 Q1 與 Q2 之特性相同，其參數值如圖所示，則此電路之小訊號輸入阻抗 Z i 及小訊號輸出阻抗 Z o約為：Q1與Q2參數值(1)順向電流轉換比VCC hfe = β = 100(2)輸入阻抗hie = βre = 1kΩR1 R2 R4 IC2C4VoIB1 IC1C1Q1 Q2IB2+Vi ～R3 C2 IE2 R5 C3 Zo- Zi IE1

    1. (A) Z i = 1 kΩ ， Z o = 1 kΩ
    2. (B) Z i = 1 kΩ ， Z o = 2 kΩ
    3. (C) Z i = 200 kΩ ， Z o = 1 kΩ
    4. (D) Z i = 200 kΩ ， Z o = 2 kΩ

    正解：(B)

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40. 40圖中電路之振盪器由三級反相器所組成，若單一級反相器之傳遞延遲為 1ns，則振盪器之振盪頻率約為何？1 1 1 1

    1. (A) × 10 6 Hz
    2. (B) × 106 Hz
    3. (C) × 109 Hz
    4. (D) × 109 Hz3 6 3 6

    正解：(D)

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題目與標準答案來源：考選部考畢試題查詢平臺（政府資訊公開資料）。最後更新：2026-10-04。